公开(公告)号：CN111081535A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911357262.2

申请日：2019-12-25

申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司

发明人： 杨鑫 ,  关永莉 ,  米洪龙 ,  吴小强 ,  杨杰 ,  申江涛 ,  陕志芳 ,  樊明明

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L29/20

摘要： 本发明提供一种U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管，属于半导体生产领域。包括：S1，采用GaN材料在衬底上纵向生长，得到初始U型GaN层；S2，在初始U型GaN层上由3D纵向生长向2D横向生长过渡，得到U型GaN过渡层；S3，在U型GaN过渡层上横向生长；S4，在S3得到的U型GaN层上继续横向生长，使生长得到的U型GaN层的表面平整。本发明通过在纵向生长与横向生长之间增加由3D纵向生长向2D横向生长过渡的阶段，使得由纵向生长到横向生长是慢慢过渡的，并通过调整生长过程中MOCVD设备的各项参数，提高了晶体质量、位错密度及内量子效率，使得生长得到的U型GaN层的表面缺陷大大减少，因而提高了产品良率。

公开(公告)号：CN111276582A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010219872.2

申请日：2020-04-30

申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司

发明人： 米洪龙 ,  杨杰 ,  关永莉 ,  吴小强 ,  杨鑫 ,  周王康 ,  申江涛 ,  陕志芳 ,  樊明明

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

摘要： 本发明提供一种940nm红外LED的外延结构及其制备方法，属于显示设备领域。外延结构从下至上依次包括衬底(1)、衬底缓冲层(2)、下覆盖层(3)、下波导层(4)、第一有源层(5)、晶格缓冲层(6)、第二有源层(7)、上波导层(8)、电流限制层(9)、上覆盖层(10)、窗口层(11)和欧姆接触层(12)，所述第一覆盖层(3)包括第一覆盖层(3-1)和第二覆盖层(3-2)。本发明能提高外延结构的晶格质量、提供高势垒电子、减少阱垒的失配效应、提高有源层阱的质量、提高器件的发光效率、提高电子-空穴的复合率而提升器件的发光效率、使器件电流可以均匀分布、提高欧姆接触质量，因而可以多方位地提高基于该外延结构的940nm红外LED的光电转换效率。

公开(公告)号：CN212011015U

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202020705748.2

申请日：2020-04-30

申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司

发明人： 米洪龙 ,  杨杰 ,  关永莉 ,  杨鑫 ,  周王康 ,  申江涛 ,  陕志芳 ,  樊明明

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

摘要： 本实用新型提供一种940nm红外LED的外延结构，属于显示设备领域。外延结构从下至上依次包括衬底1、衬底缓冲层2、下覆盖层3、下波导层4、第一有源层5、晶格缓冲层6、第二有源层7、上波导层8、电流限制层9、上覆盖层10、窗口层11和欧姆接触层12，所述下覆盖层3包括第一覆盖层3-1和第二覆盖层3-2。本实用新型能提高外延结构的晶格质量、提供高势垒电子、减少阱垒的失配效应、提高有源层阱的质量、提高器件的发光效率、提高电子-空穴的复合率而提升器件的发光效率、使器件电流可以均匀分布、提高欧姆接触质量，因而可以多方位地提高基于该外延结构的940nm红外LED的光电转换效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利