本申请公开了一种坩埚和晶体生长装置，涉及半导体制造技术领域。本申请的坩埚包括坩埚主体和坩埚盖，坩埚主体形成具有开口的容纳腔，坩埚盖盖设于坩埚主体的容纳腔的开口处，坩埚盖上具有偏心设置的导气孔。由于导气孔是偏心设置的，因此在长晶面与坩埚同轴设置的情况下，瞬态长晶区域偏离中心轴线，实现非均匀对称式的晶体生长模式。随着坩埚相对于长晶面旋转，长晶气相组分沉积到长晶面上的位置周期性变换，同一时间整个晶体生长面范围只有部分区域有沉积生长，可尽量降低晶体生长中心的数量，从而减少不同生长中心之间台阶流的汇合和碰撞，提高晶体生长质量。本申请提供的晶体生长装置包括上述的坩埚，有利于提高晶体生长质量。