发明授权
- 专利标题： A polysilicon-base self-aligned bipolar transistor process
- 专利标题（中）： 多晶硅自对准双极晶体管工艺
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申请号： EP81101364.8申请日： 1981-02-25
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公开(公告)号： EP0036499B1公开(公告)日： 1984-08-15
- 发明人: Ho, Allen Pang-I , Horng, Cheng Tzong
- 申请人： International Business Machines Corporation
- 申请人地址： Old Orchard Road Armonk, N.Y. 10504 US
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： Old Orchard Road Armonk, N.Y. 10504 US
- 代理机构： Rudolph, Wolfgang (DE)
- 优先权： US133155 19800324
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/285 ; H01L21/60 ; H01L21/76 ; H01L29/72
公开/授权文献
- EP0036499A1 A polysilicon-base self-aligned bipolar transistor process 公开/授权日：1981-09-30
信息查询
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