发明授权
- 专利标题： Staggered bandgap gate field effect transistor
- 专利标题（中）： 场效应晶体管具有偏移的带隙。
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申请号： EP87119140.9申请日： 1987-12-23
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公开(公告)号： EP0275540B1公开(公告)日： 1993-11-18
- 发明人: Solomon, Paul Michael
- 申请人： International Business Machines Corporation
- 申请人地址： Old Orchard Road Armonk, N.Y. 10504 US
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： Old Orchard Road Armonk, N.Y. 10504 US
- 代理机构： Teufel, Fritz, Dipl.-Phys.
- 优先权： US5069 19870120
- 主分类号： H01L29/64
- IPC分类号： H01L29/64 ; H01L29/80 ; H01L29/205
公开/授权文献
- EP0275540A3 Staggered bandgap gate field effect transistor 公开/授权日：1989-11-08
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