Bei einem Sekundärionen-Massenspektroskopie-(SIMS-)Verfahren zur Analyse einer Probe wird in einem ersten Verfahrensschritt die kinetische Energie der von einer Primärionenquelle (2) ausgesandten Primärionen auf einen relativ niedrigen Wert eingestellt, so daß die Oberfläche der Probe (1) mit Primärionen angereichert wird und eine Abtragung der Oberfläche der Probe (1) im wesentlichen nicht stattfindet, und in einem zweiten Verfahrensschritt wird dann die kinetische Energie der von ein- und derselben Primärionenquelle (2) ausgesandten Primärionen auf einen relativ hohen Wert eingestellt, so daß die Oberfläche der Probe (1) durch den Primärionenstrahl abgetragen werden kann, wobei die Bildung von Sekundärionen im zweiten Verfahrensschritt durch die im ersten Verfahrensschritt implantierten Primärionen begünstigt wird. Darüberhinaus kann eine gezielte, lokal unterschiedliche Anreicherung der Probenoberfläche ("chemical gating") durchgeführt werden.