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公开(公告)号：EP0884759B1
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：EP98110548.9
申请日：1998-06-09
发明人： Maul, Johann L., Dr.
IPC分类号： H01J37/252 , G01N23/225 , H01J37/02
CPC分类号： G01N23/2258 , H01J37/026 , H01J37/252 , H01J2237/0042 , H01J2237/2527
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公开(公告)号：EP0878827B1
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：EP98108907.1
申请日：1998-05-15
IPC分类号： H01J49/14 , G01N23/225 , H01J37/256 , H01J37/252
CPC分类号： G01N23/2258 , H01J37/252 , H01J37/256 , H01J49/142
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公开(公告)号：EP0676792A2
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：EP95104594.7
申请日：1995-03-29
发明人： Rauch, Waldemar , Bassi, Davide
CPC分类号： H01J49/067 , H01J49/147 , H01J2237/08 , H01J2237/1207
摘要： Ionentechnische Vorrichtung mit einem Innenraum und zumindest zwei auf unterschiedliches elektrisches Potential legbaren Blenden, wobei die ionentechnische Vorrichtung (11) in einer ersten Betriebsart außerhalb der Vorrichtung (11) erzeugte, durch ihren Innenraum (4) geführte Ionen mittels der Blenden (1,2,3) fokussiert und daß die ionentechnische Vorrichtung (11) eine in einer zweiten Betriebsart einschaltbare Einrichtung (5,6) zum Bilden von Ionen in ihrem Innenraum (4) aufweist.
摘要翻译： 具有不同的电势可折皱的孔的内部和至少两个离子技术装置，其中所述通过所述隔膜的装置中的装置（11）通过它的内部（4）引导的离子之外的第一操作模式中产生离子技术装置（11）（1.2， 3）聚焦，并且所述离子技术设备（11）具有在第二模式中的可切换的装置（5,6）用于形成离子（在其内部空间4）。
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4.发明公开Secondary ion mass spectrometer with apertured mask 失效Sekundärionen-Massenspektrometer mit Lochmaske
公开(公告)号：EP0884759A1
公开(公告)日：1998-12-16
申请号：EP98110548.9
申请日：1998-06-09
发明人： Maul, Johann L., Dr.
IPC分类号： H01J37/252 , G01N23/225 , H01J37/02
CPC分类号： G01N23/2258 , H01J37/026 , H01J37/252 , H01J2237/0042 , H01J2237/2527
摘要： In a secondary ion mass spectrometer an aperture mask (3), which is not part of the secondary ion optics (5) of the spectrometer, is arranged very near to the surface of a specimen (1) to be analyzed, for example a semiconductor. The primary and secondary ions pass through the aperture (3A) in the aperture mask (3). The position of the specimen relative to the aperture mask dictates the location on the specimen (1) to be analyzed. The outer dimension of the mask is larger than the field of view of the secondary ion optics (5). Due to the masked region the fringe areas of the specimen are shielded ionoptically so that they cannot result in any falsification of the electric field. An electrical dc or ac potential can be applied to the mask (3) so that the electric field between the aperture (3A) and the specimen (1) can be additionally influenced. A contact device (3B) can be applied between the mask (3) and the specimen (1) for preventing electrical charging of the specimen (1).
摘要翻译： 在二次离子质谱仪中，不是光谱仪的二次离子光学器件（5）的一部分的孔径掩模（3）非常靠近待分析的样品（1）的表面，例如半导体 。 初级和次级离子通过孔径掩模（3）中的孔（3A）。 样本相对于孔径掩模的位置决定待分析样品（1）上的位置。 掩模的外部尺寸大于二次离子光学器件（5）的视场。 由于掩模区域，样品的边缘区域被电离屏蔽，因此它们不会导致电场的任何伪造。 可以将电直流或交流电位施加到掩模（3），使得孔（3A）和样品（1）之间的电场可能受到额外的影响。 可以在掩模（3）和样品（1）之间施加接触装置（3B），以防止试样（1）的充电。
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公开(公告)号：EP0878827A1
公开(公告)日：1998-11-18
申请号：EP98108907.1
申请日：1998-05-15
IPC分类号： H01J49/14 , G01N23/225 , H01J37/256 , H01J37/252
CPC分类号： G01N23/2258 , H01J37/252 , H01J37/256 , H01J49/142
摘要： Bei einem Sekundärionen-Massenspektroskopie-(SIMS-)Verfahren zur Analyse einer Probe wird in einem ersten Verfahrensschritt die kinetische Energie der von einer Primärionenquelle (2) ausgesandten Primärionen auf einen relativ niedrigen Wert eingestellt, so daß die Oberfläche der Probe (1) mit Primärionen angereichert wird und eine Abtragung der Oberfläche der Probe (1) im wesentlichen nicht stattfindet, und in einem zweiten Verfahrensschritt wird dann die kinetische Energie der von ein- und derselben Primärionenquelle (2) ausgesandten Primärionen auf einen relativ hohen Wert eingestellt, so daß die Oberfläche der Probe (1) durch den Primärionenstrahl abgetragen werden kann, wobei die Bildung von Sekundärionen im zweiten Verfahrensschritt durch die im ersten Verfahrensschritt implantierten Primärionen begünstigt wird. Darüberhinaus kann eine gezielte, lokal unterschiedliche Anreicherung der Probenoberfläche ("chemical gating") durchgeführt werden.
摘要翻译： 用于样品分析的二次离子质谱（SIMS）技术包括两个阶段。 在第一阶段，来自主离子源（2）的初级离子（1A）的动能相对较低，使得样品（1）表面富集离子，同时发生表面的可忽略的侵蚀。 在第二阶段中，将初级离子的动能调节到高得多，从而发生样品表面的侵蚀。 由于来自第一阶段的注入的初级离子的存在，来自样品表面的二次离子的形成被增强。 此外，可以实现样品表面的靶向和局部富集，称为化学浇注。 二次离子由质谱仪（3）检测。
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公开(公告)号：EP0676792A3
公开(公告)日：1996-01-10
申请号：EP95104594.7
申请日：1995-03-29
发明人： Rauch, Waldemar , Bassi, Davide
CPC分类号： H01J49/067 , H01J49/147 , H01J2237/08 , H01J2237/1207
摘要： Ionentechnische Vorrichtung mit einem Innenraum und zumindest zwei auf unterschiedliches elektrisches Potential legbaren Blenden, wobei die ionentechnische Vorrichtung (11) in einer ersten Betriebsart außerhalb der Vorrichtung (11) erzeugte, durch ihren Innenraum (4) geführte Ionen mittels der Blenden (1,2,3) fokussiert und daß die ionentechnische Vorrichtung (11) eine in einer zweiten Betriebsart einschaltbare Einrichtung (5,6) zum Bilden von Ionen in ihrem Innenraum (4) aufweist.
摘要翻译： 离子技术设备具有内室（4）和至少两个孔（1,2,3）。 孔（1,2,3）可以设定在不同的电位。 在第一操作模式中，设备聚焦在设备外部产生的离子，并且使用孔（1,2,3）被馈送通过其内室（4）。 在第二操作模式中，该装置具有能够接通以在内腔（4）中形成离子的装置（5,6）。
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