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EP1202282A3 Integrierter Speicher mit Zeilenzugriffsteuerung zur Aktivierung und Deaktivierung von Zeilenleitungen 有权
集成存储器具有行访问控制器，用于激活和行布线的钝化

Integrierter Speicher mit Zeilenzugriffsteuerung zur Aktivierung und Deaktivierung von Zeilenleitungen
摘要：
Ein integrierter Speicher weist ein Speicherzellenfeld (5) mit Spaltenleitungen (BL) und Zeilenleitungen (WL) auf. Eine Zeilenzugriffssteuerung (2) dient zur Aktivierung einer der Zeilenleitungen (WL) und zur Steuerung eines Deaktivierungsvorgangs. Ein Eingang (11) einer Steuereinheit (1) ist mit einem Signalanschluß für ein Signal (CLAT) verbunden, das bei einem Lesezugriff auf eine der Speicherzellen (MC). den Beginn einer auf ein Taktsignal (CK) synchronisierten Datenausgabe nach außerhalb des Speicherzellenfeldes (5) festlegt. Das Signal (CLAT) ist dabei abhängig von einer Betriebsfrequenz des Speichers einstellbar. Ein Ausgangssignal (A) der Steuereinheit (1) dient zum Auslösen des Deaktivierungsvorgangs einer der Zeilenleitungen (WL) nach einem Schreibzugriff. Dadurch ist bei einem Schreibzugriff ein vergleichsweise hoher Datendurchsatz auch bei unterschiedlichen Betriebsfrequenzen des integrierten Speichers ermöglicht.
摘要（英）：

An integrated memory has a memory cell array (5) to column lines (BL) and row lines (WL). A row access controller (2) is used to activate one of the row lines (WL) and to control a deactivation process. An input (11) of a control unit (1) is connected to a signal terminal for a signal (CLAT) which when a read access to one of the memory cells (MC). the beginning of a clock signal (CK) synchronized data output to the outside of the memory cell array (5) specifies. The signal (CLAT) is set depending on an operating frequency of the memory. An output signal (A) of the control unit (1) is used to trigger the deactivation process of one of the row lines (WL) after a writing access. Thus, a relatively high data throughput is on a write operation possible even at different operating frequencies of the integrated memory.

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