发明公开
EP2307928A2 HIGH ASPECT RATIO TEMPLATE FOR LITHOGRAPHY, METHOD OF MAKING THE SAME TEMPLATE AND USE OF THE TEMPLATE FOR PERFORATING A SUBSTRATE AT NANOSCALE
审中-公开
原有的高宽比光刻，方法生产该文件，并使用该模板射孔ON纳米尺度A SUBSTRATE
- 专利标题： HIGH ASPECT RATIO TEMPLATE FOR LITHOGRAPHY, METHOD OF MAKING THE SAME TEMPLATE AND USE OF THE TEMPLATE FOR PERFORATING A SUBSTRATE AT NANOSCALE
- 专利标题（中）： 原有的高宽比光刻，方法生产该文件，并使用该模板射孔ON纳米尺度A SUBSTRATE
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申请号： EP09777381.6申请日： 2009-07-23
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公开(公告)号： EP2307928A2公开(公告)日： 2011-04-13
- 发明人: MUHAMMAD, Amin Saleem , BRUD, David , BERG, Jonas , KABIR, Mohammad, Shafiqul , DESMARIS, Vincent
- 申请人： Smoltek AB
- 申请人地址： Stena Center 1D 412 92 Göteborg SE
- 专利权人： Smoltek AB
- 当前专利权人： Smoltek AB
- 当前专利权人地址： Stena Center 1D 412 92 Göteborg SE
- 代理机构： Fritsche, Daniel
- 优先权： SE0801770 20080805
- 国际公布： WO2010015333 20100211
- 主分类号： G03F7/00
- IPC分类号： G03F7/00
摘要：
Template and method of making high aspect ratio template, stamp, and imprinting at nanoscale using nanostructures for the purpose of lithography, and to the use of the template to create perforations on materials and products.
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