发明授权
- 专利标题： MEMORY DEVICE FOR RESISTANCE-BASED MEMORY APPLICATIONS
- 专利标题（中）： 存储设备电阻式存储器应用
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申请号： EP09792136.5申请日： 2009-09-01
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公开(公告)号： EP2332142B1公开(公告)日： 2013-07-10
- 发明人: DAVIERWALLA, Anosh B. , ZHONG, Cheng , PARK, Dongkyu , ABU-RAHMA, Mohamed Hassan , SANI, Mehdi Hamidi , YOON, Sei Seung
- 申请人： QUALCOMM Incorporated
- 申请人地址： Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
- 专利权人： QUALCOMM Incorporated
- 当前专利权人： QUALCOMM Incorporated
- 当前专利权人地址： Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
- 代理机构： Dunlop, Hugh Christopher
- 优先权： US206933 20080909
- 国际公布： WO2010030531 20100318
- 主分类号： G11C7/06
- IPC分类号： G11C7/06 ; G11C7/10 ; G11C7/12 ; G11C7/14 ; G11C11/16
公开/授权文献
- EP2332142A1 MEMORY DEVICE FOR RESISTANCE-BASED MEMORY APPLICATIONS 公开/授权日：2011-06-15
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