发明公开
- 专利标题： MEMORY WRITE OPERATION METHODS AND CIRCUITS
- 专利标题（中）： 方法与电路存储器写操作
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申请号： EP11798646申请日： 2011-06-15
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公开(公告)号： EP2586029A4公开(公告)日： 2014-04-30
- 发明人: KULKARNI JAYDEEP P , KHELLAH MUHAMMAD M , GEUSKENS BIBICHE M , RAYCHOWDHURY ARIJIT , KARNIK TANAY , DE VIVEK K
- 申请人： INTEL CORP
- 专利权人： INTEL CORP
- 当前专利权人： INTEL CORP
- 优先权： US82364210 2010-06-25
- 主分类号： G11C8/08
- IPC分类号： G11C8/08 ; G11C7/10 ; G11C7/12 ; G11C7/20 ; G11C11/412 ; G11C11/413
摘要：
In some embodiments, write wordline boost may be obtained from wordline driver boost and/or from bit line access transistor boost.
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