发明公开
- 专利标题： Transistor MOS à espaceurs d'air
- 专利标题（英）： MOS transistor with air spacers
- 专利标题（中）： 用空气隔离物MOS晶体管
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申请号： EP14186271.4申请日： 2014-09-24
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公开(公告)号： EP2854180A1公开(公告)日： 2015-04-01
- 发明人: Niebojewski, Heimanu , Le Royer, Cyrille , Morand, Yves , Rozeau, Olivier
- 申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS , STmicroelectronics SA
- 申请人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 专利权人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES,STMicroelectronics (Crolles 2) SAS,STmicroelectronics SA
- 当前专利权人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES,STMicroelectronics (Crolles 2) SAS,STmicroelectronics SA
- 当前专利权人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 代理机构： Thibon, Laurent
- 优先权： FR1359386 20130930
- 主分类号： H01L29/49
- IPC分类号： H01L29/49 ; H01L29/51 ; H01L29/66
摘要：
L'invention concerne un transistor MOS dont la couche d'isolant de grille (10) en un matériau à forte constante diélectrique se prolonge, à épaisseur constante, sous et en contact d'espaceurs à faible constante diélectrique (7).
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