公开(公告)号：EP2765607A1

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：EP14154719.0

申请日：2014-02-11

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS ,  STmicroelectronics SA

发明人： Vinet, Maud ,  Morand, Yves ,  Niebojewski, Heimanu

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/76272 ,  H01L21/76278 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1207

摘要： La présente invention propose notamment un procédé de réalisation d'une couche semi-conductrice (146) présentant au moins deux épaisseurs différentes (T Si1 , T Si2 ) à partir d'un empilement de type semi-conducteur sur isolant comportant au moins un substrat (112) sur lequel sont disposées successivement une couche isolante (114) et une première couche semi-conductrice, le procédé comprenant au moins une séquence comportant les étapes suivantes:
• gravure de la première couche semi-conductrice de manière à ce que la première couche semi-conductrice soit continue et comprenne au moins une première zone dont l'épaisseur (t Si1 ) est inférieure à l'épaisseur (t Si2 ) d'au moins une deuxième zone ;
• oxydation de la première couche semi-conductrice pour former un film d'oxyde électriquement isolant à la surface de la première couche semi-conductrice de manière à ce que dans la première zone le film d'oxyde s'étende jusqu'à la couche isolante (114) ;
• retrait partiel du film d'oxyde de manière à mettre à nu la première couche semi-conductrice en dehors de la première zone ;
• formation sur l'empilement de couches d'une deuxième couche semi-conductrice de manière à former avec la première couche semi-conductrice une troisième couche semi-conductrice continue (146) et présentant des épaisseurs différentes (T Si1 , T Si2 ).

摘要翻译： 该方法包括雕刻和氧化的半导体层，以形成在电绝缘氧化膜上检查的层的表面做了膜延伸到并且不延伸到在一个区域的绝缘层（114）。 将电影部分取出，以暴露所述第一区域之外的半导体层，并保持在该区域的膜的一部分。 第二半导体层的层的堆叠上形成，以形成具有与所述第一半导体层不同厚度的第三连续半导体层（146）。 因此独立claimsoft包括用于制造晶体管的方法。

公开(公告)号：EP2763177A1

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：EP14153839.7

申请日：2014-02-04

申请人： STmicroelectronics SA ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Niebojewski, Heimanu ,  Morand, Yves ,  Le Royer, Cyrille

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/6653

摘要： L'invention concerne un transistor MOS comprenant, au-dessus d'un isolant de grille (4), un empilement conducteur de grille (6-7) ayant une hauteur, une longueur et une largeur, cet empilement ayant une partie basse (6) voisine de l'isolant de grille et une partie haute (7 ; 27 ; 50), dans lequel ledit empilement a une première longueur (L1) dans sa partie basse, et une deuxième longueur (L2) inférieure à la première longueur dans sa partie haute.

摘要翻译： 晶体管具有导电栅堆叠，其包括靠近栅极绝缘体（4）的下部和上部。 堆叠的上部和下部包括两个不同的长度，其中上部长度比下部长度短。 上部长度为下部长度的0.3〜0.9倍左右。 该叠层与限定真空间隔物（10）的电介质间隔物相邻。 下部包括金属层的一部分，并且上部包括掺杂半导体层的一部分。 堆叠的下部包括掺杂多晶硅层的层，并且上部包括掺杂的多晶硅 - 锗层。 还包括用于制造MOS晶体管的方法的独立权利要求。

公开(公告)号：EP2854180A1

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：EP14186271.4

申请日：2014-09-24

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS ,  STmicroelectronics SA

发明人： Niebojewski, Heimanu ,  Le Royer, Cyrille ,  Morand, Yves ,  Rozeau, Olivier

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/515 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/51 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/78

摘要： L'invention concerne un transistor MOS dont la couche d'isolant de grille (10) en un matériau à forte constante diélectrique se prolonge, à épaisseur constante, sous et en contact d'espaceurs à faible constante diélectrique (7).

公开(公告)号：EP2765613A1

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：EP14154710.9

申请日：2014-02-11

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS ,  STmicroelectronics SA

发明人： Niebojewski, Heimanu ,  Morand, Yves ,  Vinet, Maud

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603

摘要： La présente invention a notamment pour objet un procédé de fabrication d'un transistor comprenant la formation d'un empilement de couches de type semiconducteur-sur-isolant comportant au moins un substrat (112), surmonté d'une première couche isolante (114) et d'une couche active destinée à former un canal (180) pour le transistor, le procédé comprenant en outre la formation d'un empilement de grille sur la couche active et la réalisation d'une source et d'un drain, caractérisé en ce que la réalisation de la source et du drain comprend au moins les étapes suivantes:
la formation de part et d'autre de l'empilement de grille de cavités (440) par au moins une étape de gravure de la couche active, de la première couche isolante (114) et d'une partie du substrat (112) sélectivement à l'empilement de grille de manière à retirer la couche active, la première couche isolante (114) et une portion du substrat (112) en dehors de zones situées en dessous de l'empilement de grille,
la formation d'une deuxième couche isolante (118) comprenant la formation d'un film isolant sur les surfaces mises à nu du substrat (112), de manière à former avec la première couche isolante (114) une couche isolante (118);
la mise à nu des extrémités latérales du canal (180);
le remplissage des cavités (440) par épitaxie pour former la source et le drain.

摘要翻译： 该方法包括通过蚀刻活性层在空腔（440）的叠层的两侧上形成初始绝缘层（114）。 通过在初始衬底（112）的暴露表面上形成绝缘膜以形成具有第一绝缘层的空腔的连续绝缘层来形成连续绝缘层（118）。 由有源层的一部分形成的沟道（180）的侧端被暴露，并且通过从侧端通过外延形成源极和漏极，通过半导体材料填充空腔。

公开(公告)号：EP2765599A1

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：EP14154715.8

申请日：2014-02-11

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS ,  STmicroelectronics SA

发明人： Niebojewski, Heimanu ,  Morand, Yves ,  Vinet, Maud

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603

摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un transistor comprenant la préparation d'un empilement de couches de type semi-conducteur sur isolant comportant au moins un substrat (112) sur lequel est disposé successivement une couche isolante (114) et une couche semi-conductrice initiale (312), caractérisé en ce qu'il comprend :
- la formation d'au moins un plot d'oxyde (311) s'étendant depuis une face supérieure de la couche isolante (114), la formation d'au moins un plot d'oxyde (311) comprenant les étapes suivantes :
• la formation d'au moins une cavité dans la couche semi-conductrice initiale (312) par gravure ;
• la formation d'une couche d'oxyde en surface dudit empilement de couches SOI réalisée de manière à ce que dans le fond des cavités le film d'oxyde formé s'étende au moins jusqu'à la couche isolante (114) ;
• un retrait partiel du film d'oxyde de manière à mettre à nu la couche semi-conductrice initiale (312) en dehors de la cavité et à conserver une partie au moins du film d'oxyde dans la cavité pour laisser en place un plot d'oxyde (311) s'étendant depuis la couche isolante (114);

- la formation d'une couche additionnelle en matériau semi-conducteur (313) recouvrant le plot d'oxyde 311 et destinée à former un canal pour le transistor ;
- la formation d'un empilement de grille à l'aplomb du plot d'oxyde (311);
- la formation d'une source et d'un drain de part et d'autre du plot d'oxyde.

摘要翻译： 该方法包括通过在初始半导体层中形成空腔并在绝缘体层上的堆叠半导体的表面上形成氧化物层，并通过部分去除形成从绝缘层（114）的上表面延伸的氧化物接触（311） 的氧化膜。 形成附加的半导体材料层以覆盖接触并形成晶体管（200）的沟道。 栅极堆叠（160）形成在触点的顶部，并且源极和漏极形成在栅极堆叠的两侧。