发明公开
EP3063791A1 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR SENSOR AND METHOD OF FORMING A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR SENSOR USING ATOMIC LAYER DEPOSITION
有权
金属氧化物半导体传感器以及使用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法
- 专利标题： METAL OXIDE SEMICONDUCTOR SENSOR AND METHOD OF FORMING A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR SENSOR USING ATOMIC LAYER DEPOSITION
- 专利标题（中）： 金属氧化物半导体传感器以及使用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法
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申请号： EP14856905.6申请日： 2014-10-30
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公开(公告)号： EP3063791A1公开(公告)日： 2016-09-07
- 发明人: SAMARAO, Ashwin, K. , O'BRIEN, Gary , FEYH, Ando , PURKL, Fabian , YAMA, Gary
- 申请人： Robert Bosch GmbH
- 申请人地址： Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
- 专利权人： Robert Bosch GmbH
- 当前专利权人： Robert Bosch GmbH
- 当前专利权人地址： Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
- 代理机构： Bee, Joachim
- 优先权： US201361897269P 20131030
- 国际公布： WO2015066289 20150507
- 主分类号： H01L27/14
- IPC分类号： H01L27/14 ; H01L29/94 ; H01L21/205
摘要：
A semiconductor sensor device includes a substrate, a non-suitable seed layer located above the substrate, at least one electrode located above the non-suitable seed layer, and a porous sensing layer supported directly by the non-suitable seed layer and in electrical communication with the at least one electrode, the porous sensing layer defining a plurality of grain boundaries formed by spaced-apart nucleation on the non-suitable seed layer using atomic layer deposition.
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