- 专利标题： METHODS FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT USING BORIC ACID AS A DOPANT AND INGOT PULLER APPARATUS THAT USE A SOLID-PHASE DOPANT
-
申请号： EP20730890.9申请日： 2020-05-18
-
公开(公告)号： EP3990683A1公开(公告)日： 2022-05-04
- 发明人: LUTER, William L. , SREEDHARAMURTHY, Hariprasad , HARINGER, Stephan , PHILLIPS, Richard J. , ZHANG, Nan , WU, Yu-Chaio
- 申请人： GlobalWafers Co., Ltd.
- 申请人地址： TW Hsinchu No. 8 Industrial East Road 2 Science-Based Industrial Park
- 代理机构： Parchmann, Stefanie
- 优先权： US201962868573 P 20190628
- 国际公布： WO2020263455 20201230
- 主分类号： C30B15/04
- IPC分类号： C30B15/04 ; C30B29/06 ; C30B35/00
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
