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发明专利
JP2018195814A 半導体装置、および半導体装置の作製方法 审中-公开

半導体装置、および半導体装置の作製方法
摘要：
【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、酸化物と、酸化物上の第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の導電体と、第1の絶縁体の側面、及び導電体の側面に設けられる第2の絶縁体と、を有し、該酸化物は、第1の領域と、第2の領域と、第1の領域および第2の領域の間に位置する第3の領域と、を有し、第1の絶縁体は、第1の領域上に設けられ、第3の領域は、第2の絶縁体と重畳する領域を有し、第2の領域は、第1の領域及び第3の領域よりも酸素濃度が小さく、第3の領域は、第1の領域の酸素濃度と、第2の領域の酸素濃度との間の酸素濃度となる部分を有する半導体装置である。 【選択図】図2
摘要（英）：

A semiconductor device having favorable electrical characteristics. The present invention provides a semiconductor device having a transistor, the transistor is an oxide and the first insulator on the oxide, the conductor on the first insulator, the side surface of the first insulator, and a second insulator provided on the side surface of the conductor, and the oxide has a first region and a second region, located between the first region and the second region has a third region, the first insulator is provided on the first region, the third region has a region overlapping with the second insulator, the second region a smaller oxygen concentration than the first region and the third region, the third region has an oxygen concentration of the first region, the oxygen concentration and becomes part between the oxygen concentration of the second region which is a semiconductor device. .The

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