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公开(公告)号：JP2022002321A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021147919
申请日：2021-09-10
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/786 , G11C11/405 , H01L21/8242
Abstract: 【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。 【解決手段】第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート 電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、第 2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジ スタと、を有し、第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第2のトラ ンジスタは酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2020157558A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JPIB2019060053
申请日：2019-11-22
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/1156 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8242
Abstract: ゲインセル型のメモリセルを有し、単位面積あたりに記憶できるデータ量が多い記憶装置を提供する。半導体基板に形成されたトランジスタを用いて、記憶装置の周辺回路を構成し、薄膜トランジスタを用いて、記憶装置のメモリセルを構成する。メモリセルが構成された薄膜トランジスタを含む層を、前記半導体基板の上方に複数積層して設けることで、単位面積あたりに記憶できるデータ量を増やすことができる。また、薄膜トランジスタとして、オフ電流が非常に小さいOSトランジスタを用いることで、電荷を蓄積する容量素子の容量を小さくできる。すなわち、メモリセルの面積を小さくできる。
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公开(公告)号：JP2021193757A
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2021161691
申请日：2021-09-30
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 【課題】微細化した半導体集積回路において用いられる、オフ電流の小さな電界効果トラ ンジスタ(FET)を提供する。 【解決手段】絶縁表面に略垂直に形成された厚さが1nm以上30nm以下の薄片状の酸 化物半導体と、前記酸化物半導体を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜 を覆って形成されたストライプ状の幅10nm以上100nm以下のゲートを有する電界 効果トランジスタ。この構成では、薄片状の酸化物半導体の三方の面をゲートが覆うこと となるため、ソース、ドレインから注入される電子を効率的に排除し、ソースとドレイン の間をほぼ空乏化領域とでき、オフ電流を低減できる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021192437A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021133993
申请日：2021-08-19
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 大貫 達也
IPC: H01L27/108 , H01L27/00 , H01L29/786 , G11C5/02 , G11C11/405 , H01L21/8242
Abstract: 【課題】レイアウト面積を小さく抑える記憶装置を提供する。 【解決手段】記憶装置10は、第1の配線BLa及び第2の配線BLbと電気的に接続され、かつ、第1の層に位置するセンスアンプ11及び第1の層上の第2の層に位置する第1のメモリセル12a及び第2のメモリセル12bを有する。第1のメモリセルは、第3の配線WLaの電位に従って導通状態が制御される第1のスイッチ13及び第1のスイッチを介して、第1の配線に電気的に接続されている第1の容量素子14を有する。第2のメモリセルは、第4の配線WLbの電位に従って導通状態が制御される第2のスイッチ13及び第2のスイッチを介して第2の配線に電気的に接続されている第2の容量素子14を有する。第1の配線は、第2の層において、第3の配線及び第4の配線のうち第3の配線とのみ交差し、第2の配線は、第2の層において、第3の配線及び第4の配線のうち第4の配線とのみ交差する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021185598A
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2021120431
申请日：2021-07-21
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 【課題】微細なトランジスタ、寄生容量の小さいトランジスタ、周波数特性の高いトランジスタ及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタは、酸化物半導体406bと、第1の導電体404と、第2の導電体416a1と、第3の導電体416bと、第1の絶縁体406cと、第2の絶縁体410と、を有する。第1の導電体は、第1の絶縁体を介して、第1の導電体と酸化物半導体とが互いに重なる領域を有する。第2の絶縁体は、開口部を有し、開口部内において第1の絶縁体を介して、第2の絶縁体の側面と第1の導電体の側面は互いに重なる領域を有し、第2の導電体の表面の一部及び第3の導電体の表面の一部は、開口部内で第1の絶縁体と接する。酸化物半導体は、酸化物半導体と第2の導電体と互いに重なる領域と、酸化物半導体と第3の導電体と互いに重なる領域と、を有する。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6978564B2
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2020146648
申请日：2020-09-01
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/203 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/786
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公开(公告)号：JP2021532596A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2021504502
申请日：2019-08-01
Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
Inventor： シン, テジンダー , 越澤 武仁 , マリック, アブヒジット バス , マンナ, プラミット , ファン, ナンシー , ベンカタサブラマニアン, エスワラナンド , ウォン, ホー−ヤン デーヴィッド , ゴットハイム, サミュエル イー.
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/76
Abstract: パターニングされた基板を提供するための装置及び方法が記載されている。第1の方向に延在する膜と、第1の方向と交差する第2の方向に延在する膜とを選択的に堆積及びエッチングして、下にある構造をパターニングすることによって、複数のパターニングされ離間した第1のライン及び炭素材料のラインが基板表面上に形成される。 【選択図】図22A
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公开(公告)号：JP6968303B2
公开(公告)日：2021-11-17
申请号：JP2021004651
申请日：2021-01-15
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 山崎 舜平
IPC: H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , H01L21/8242
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公开(公告)号：JP6965327B2
公开(公告)日：2021-11-10
申请号：JP2019205141
申请日：2019-11-13
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G11C11/56 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786 , G11C11/405
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公开(公告)号：JP6961056B2
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：JP2020152853
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/336
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