Invention Patent
- Patent Title: A method of forming a Sn-Ag-Cu ternary alloy thin film
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Application No.: JP2005030837Application Date: 2005-02-07
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Publication No.: JP3741709B1Publication Date: 2006-02-01
- Inventor: 茂紀 三浦
- Applicant: Fcm株式会社
- Assignee: Fcm株式会社
- Current Assignee: Fcm株式会社
- Priority: JP2005030837 2005-02-07
- Main IPC: C25D7/00
- IPC: C25D7/00 ; C25D3/60
Abstract:
【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性(低融点)を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するSn合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にSn−Ag−Cu三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともSn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。
【選択図】 なし
【解決手段】 本発明は、基材上にSn−Ag−Cu三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともSn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。
【選択図】 なし
Public/Granted literature
- JP2006213996A METHOD FOR FORMING THIN FILM OF Sn-Ag-Cu TERNARY ALLOY Public/Granted day:2006-08-17
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