- 专利标题： 3Dフラッシュメモリ応用のための誘電体金属スタック
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申请号： JP2016547595申请日： 2015-01-06
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公开(公告)号： JP6800015B2公开(公告)日： 2020-12-16
- 发明人: ハン, シンハイ , ラージャゴーパーラン, ナーガラージャン , ホン, ソンヒョン , キム, ボク ホーエン , スリニバサン, ムクン
- 申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
- 申请人地址： アメリカ合衆国 カリフォルニア 95054, サンタ クララ, バウアーズ アヴェニュー 3050
- 专利权人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド,APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
- 当前专利权人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド,APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国 カリフォルニア 95054, サンタ クララ, バウアーズ アヴェニュー 3050
- 代理商 園田・小林特許業務法人
- 优先权： US61/929,794 2014-01-21
- 国际申请： US2015010313 JP 2015-01-06
- 国际公布： WO2015112327 JP 2015-07-30
- 主分类号： C23C16/14
- IPC分类号： C23C16/14 ; C23C16/30 ; H01L21/316 ; H01L21/318 ; H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L23/532 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L21/336 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H01L27/115
公开/授权文献
- JP2017510059A ３Ｄフラッシュメモリ応用のための誘電体金属スタック 公开/授权日：2017-04-06
信息查询
IPC分类:
