(式(1)中、R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、炭素原子数1〜20の1価の有機基を表す。R4は水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数1〜20の1価の有機基を表す。Rfはフッ素原子、フッ素原子を含む1価の有機基を表す。Raは炭素原子数1〜20の2価の有機基、−O−、−CO−、−COO−、−NHCO−、−NHCOO−を表す。m1は0〜6の整数を表す。n1は1〜5の整数を表す。) ">

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JPWO2017141933A1 高分子化合物、組成物及び有機薄膜トランジスタ 审中-公开

高分子化合物、組成物及び有機薄膜トランジスタ
摘要：
キャリア移動度がより高い有機薄膜トランジスタ。ブロック化イソシアナト基及びブロック化イソチオシアナト基を含む群から選ばれる少なくとも1種の基を有する繰り返し単位と、ヒドロキシ基を有する繰り返し単位、カルボキシ基を有する繰り返し単位並びにヒドロキシ基及びカルボキシ基を有する繰り返し単位を含む群から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位と、式(1)で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。 【化1】 (式(1)中、R 1 、R 2 、R 3 は水素原子、フッ素原子、炭素原子数1〜20の1価の有機基を表す。R 4 は水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数1〜20の1価の有機基を表す。Rfはフッ素原子、フッ素原子を含む1価の有機基を表す。R a は炭素原子数1〜20の2価の有機基、−O−、−CO−、−COO−、−NHCO−、−NHCOO−を表す。m1は0〜6の整数を表す。n1は1〜5の整数を表す。)
摘要（英）：

Higher organic thin film transistor carrier mobility. A repeating unit having at least one group selected from the group comprising blocked isocyanate groups and blocked isothiocyanato group, the repeating unit having a hydroxy group, a repeating unit having a repeating unit as well as hydroxy and carboxy groups having a carboxy group and at least one repeating unit selected from the group comprising a polymer compound containing a repeating unit represented by the formula (1). ## STR1 (formula (1), R1, R2, R3 is a hydrogen atom, a fluorine atom, .R4 is hydrogen atom a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a chlorine atom, a bromine atom, iodine atom, monovalent .Rf represents an organic group fluorine atom, a monovalent .Ra represents an organic radical is a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms containing a fluorine atom having 1 to 20 carbon atoms, - O -, - CO -, - COO -, - NHCO -, - NHCOO- represents a .m1 is an integer .n1 is from 1 to 5 representing an integer of 0 to 6).

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