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发明专利
JPWO2018061177A1 半導体装置 有权

半導体装置
摘要：
【課題】過電圧保護ダイオードの耐圧変動を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、耐圧領域B上に形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上に交互に隣接配置されたN型半導体層5aとP型半導体層5bを有する過電圧保護ダイオード5と、絶縁膜4上に形成され、過電圧保護ダイオード5に電気的に接続された導体部6,7,8,9と、過電圧保護ダイオード5および導体部6,7,8,9を被覆する絶縁膜15と、絶縁膜15を介して過電圧保護ダイオード5の上方に設けられた高電位部17と、を備え、P型半導体層5bのP型不純物濃度は、N型半導体層5aのN型不純物濃度より低く、高電位部17は、逆バイアス印加状態において、高電位部17の直下に位置するP型半導体層5bの電位よりも高い電位を有するように構成されている。
摘要（英）：

A semiconductor device capable of suppressing the breakdown voltage variation of the overvoltage protection diode.
The semiconductor device 1 of the A embodiment, overvoltage with an insulating film 4 formed on the withstand voltage region B, and N-type semiconductor layer 5a and the P-type semiconductor layer 5b disposed adjacent alternately on the insulating film 4 the protection diode 5, is formed on the insulating film 4, the conductor portions 6, 7, 8 and 9 which are electrically connected to the overvoltage protection diode 5, the overvoltage protection diode 5 and the conductor portion 6, 7, 8, 9 an insulating film 15 that covers a high potential portion 17 provided above the overvoltage protection diode 5 via the insulating film 15, provided with a, P-type impurity concentration of the P-type semiconductor layer 5b is of N-type semiconductor layer 5a lower than the N-type impurity concentration, the high potential portion 17, the reverse bias applied state, is configured to have a potential higher than the potential of the P-type semiconductor layer 5b is positioned directly below the high potential portion 17.

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