公开(公告)号：JPWO2018116457A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：JP2016088450

申请日：2016-12-22

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/329 ,  H01L29/866 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  F23Q3/00 ,  H01L29/78

摘要： 【課題】逆バイアス印加状態において半導体スイッチがオンすることを防止する。 【解決手段】コレクタ電極C、エミッタ電極Eおよびゲート電極Gを有する半導体スイッチSWと、一端がコレクタ電極Cに電気的に接続され、他端がゲート電極Gに電気的に接続され、N型半導体層とP型半導体層とが交互に隣接配置されたものとして構成されたツェナーダイオード5Aと、一端がゲート電極Gに電気的に接続され、他端がエミッタ電極Eに電気的に接続され、N型半導体層とP型半導体層とが交互に隣接配置されたものとして構成されたツェナーダイオード5Bとを備え、逆バイアス印加状態においてゲート電極Gの電圧が半導体スイッチSWのオン閾値電圧まで上昇しないようにツェナーダイオード5Aおよびツェナーダイオード5Bが構成されている。

公开(公告)号：JPWO2018061177A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2016078998

申请日：2016-09-30

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/329 ,  H01L29/866 ,  H01L29/739 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866

摘要： 【課題】過電圧保護ダイオードの耐圧変動を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、耐圧領域B上に形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上に交互に隣接配置されたN型半導体層5aとP型半導体層5bを有する過電圧保護ダイオード5と、絶縁膜4上に形成され、過電圧保護ダイオード5に電気的に接続された導体部6,7,8,9と、過電圧保護ダイオード5および導体部6,7,8,9を被覆する絶縁膜15と、絶縁膜15を介して過電圧保護ダイオード5の上方に設けられた高電位部17と、を備え、P型半導体層5bのP型不純物濃度は、N型半導体層5aのN型不純物濃度より低く、高電位部17は、逆バイアス印加状態において、高電位部17の直下に位置するP型半導体層5bの電位よりも高い電位を有するように構成されている。

公开(公告)号：JP6301551B1

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：JP2017509791

申请日：2016-09-30

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/329 ,  H01L29/866 ,  H01L29/41 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866

摘要： 【課題】過電圧保護ダイオードの耐圧変動を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、耐圧領域B上に形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上に交互に隣接配置されたN型半導体層5aとP型半導体層5bを有する過電圧保護ダイオード5と、絶縁膜4上に形成され、過電圧保護ダイオード5に電気的に接続された導体部6,7,8,9と、過電圧保護ダイオード5および導体部6,7,8,9を被覆する絶縁膜15と、絶縁膜15を介して過電圧保護ダイオード5の上方に設けられた高電位部17と、を備え、P型半導体層5bのP型不純物濃度は、N型半導体層5aのN型不純物濃度より低く、高電位部17は、逆バイアス印加状態において、高電位部17の直下に位置するP型半導体層5bの電位よりも高い電位を有するように構成されている。

公开(公告)号：JPWO2017203671A1

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：JP2017521166

申请日：2016-05-26

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7802

摘要： 【課題】耐圧の低下を抑制し、信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置1では、逆バイアス印加状態において絶縁膜4近傍の拡散層3が空乏化するように導体部6,7の端部が過電圧保護ダイオード5に電気的に接続され、および/または、逆バイアス印加状態において絶縁膜4近傍の周辺半導体領域10が空乏化するように導体部8,9の端部が過電圧保護ダイオード5に電気的に接続されている。

公开(公告)号：JP6301561B1

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：JP2017532198

申请日：2016-09-13

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/866 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/16 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/866

摘要： 【課題】過電圧保護ダイオードの耐圧変動を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、導電性の半導体基板2と、半導体基板2上に形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上に形成され、N型半導体層5aとP型半導体層5bとが交互に隣接配置されたものとして構成された過電圧保護ダイオード5と、過電圧保護ダイオード5を被覆する絶縁膜15と、を備え、P型半導体層5bにおけるP型不純物の濃度は、N型半導体層5aにおけるN型不純物の濃度より低く、P型不純物の濃度ピークは、境界領域F1と境界領域F2との間の非境界領域Gに位置する。

公开(公告)号：JPWO2018061178A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2016078999

申请日：2016-09-30

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/866 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0661 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0296 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866

摘要： 【課題】活性領域を拡大することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、耐圧領域Bの絶縁膜4上に形成されたN型半導体層5aとP型半導体層5bとが交互に隣接配置されてなる過電圧保護ダイオード5を備え、過電圧保護ダイオード5は、絶縁膜4の上面の角部に配置され、角部から半導体基板2の中央部に向けて延在している。

公开(公告)号：JP6258561B1

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：JP2017521166

申请日：2016-05-26

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/866 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/16 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/866

摘要： 【課題】耐圧の低下を抑制し、信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1では、逆バイアス印加状態において絶縁膜4近傍の拡散層3が空乏化するように導体部6,7の端部が過電圧保護ダイオード5に電気的に接続され、および/または、逆バイアス印加状態において絶縁膜4近傍の周辺半導体領域10が空乏化するように導体部8,9の端部が過電圧保護ダイオード5に電気的に接続されている。

公开(公告)号：JPWO2018051416A1

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：JP2016076989

申请日：2016-09-13

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/866 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/16 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/866

摘要： 【課題】過電圧保護ダイオードの耐圧変動を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、導電性の半導体基板2と、半導体基板2上に形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上に形成され、N型半導体層5aとP型半導体層5bとが交互に隣接配置されたものとして構成された過電圧保護ダイオード5と、過電圧保護ダイオード5を被覆する絶縁膜15と、を備え、P型半導体層5bにおけるP型不純物の濃度は、N型半導体層5aにおけるN型不純物の濃度より低く、P型不純物の濃度ピークは、境界領域F1と境界領域F2との間の非境界領域Gに位置する。

公开(公告)号：JP6379308B1

公开(公告)日：2018-08-22

申请号：JP2017561426

申请日：2016-12-22

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/329 ,  H01L29/866 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  F23Q3/00 ,  H01L29/78

CPC分类号： H03K17/06 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/866 ,  H03K17/082 ,  H03K17/74 ,  H03K2017/066

摘要： 【課題】逆バイアス印加状態において半導体スイッチがオンすることを防止する。 【解決手段】コレクタ電極C、エミッタ電極Eおよびゲート電極Gを有する半導体スイッチSWと、一端がコレクタ電極Cに電気的に接続され、他端がゲート電極Gに電気的に接続され、N型半導体層とP型半導体層とが交互に隣接配置されたものとして構成されたツェナーダイオード5Aと、一端がゲート電極Gに電気的に接続され、他端がエミッタ電極Eに電気的に接続され、N型半導体層とP型半導体層とが交互に隣接配置されたものとして構成されたツェナーダイオード5Bとを備え、逆バイアス印加状態においてゲート電極Gの電圧が半導体スイッチSWのオン閾値電圧まで上昇しないようにツェナーダイオード5Aおよびツェナーダイオード5Bが構成されている。

公开(公告)号：JP6224291B1

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：JP2017503191

申请日：2016-09-30

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/866 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47

摘要： 【課題】活性領域を拡大することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、耐圧領域Bの絶縁膜4上に形成されたN型半導体層5aとP型半導体層5bとが交互に隣接配置されてなる過電圧保護ダイオード5を備え、過電圧保護ダイオード5は、絶縁膜4の上面の角部に配置され、角部から半導体基板2の中央部に向けて延在している。