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公开(公告)号：JPWO2017203671A1
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2017521166
申请日：2016-05-26
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0834 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/47 , H01L29/7802
摘要： 【課題】耐圧の低下を抑制し、信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置1では、逆バイアス印加状態において絶縁膜4近傍の拡散層3が空乏化するように導体部6,7の端部が過電圧保護ダイオード5に電気的に接続され、および/または、逆バイアス印加状態において絶縁膜4近傍の周辺半導体領域10が空乏化するように導体部8,9の端部が過電圧保護ダイオード5に電気的に接続されている。
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公开(公告)号：JP6301561B1
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2017532198
申请日：2016-09-13
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/866 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/329
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L21/823487 , H01L21/8249 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/1095 , H01L29/16 , H01L29/404 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7808 , H01L29/866
摘要： 【課題】過電圧保護ダイオードの耐圧変動を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、導電性の半導体基板2と、半導体基板2上に形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上に形成され、N型半導体層5aとP型半導体層5bとが交互に隣接配置されたものとして構成された過電圧保護ダイオード5と、過電圧保護ダイオード5を被覆する絶縁膜15と、を備え、P型半導体層5bにおけるP型不純物の濃度は、N型半導体層5aにおけるN型不純物の濃度より低く、P型不純物の濃度ピークは、境界領域F1と境界領域F2との間の非境界領域Gに位置する。
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公开(公告)号：JPWO2018061178A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2016078999
申请日：2016-09-30
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0661 , H01L27/0255 , H01L27/0296 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/47 , H01L29/7395 , H01L29/7808 , H01L29/861 , H01L29/866
摘要： 【課題】活性領域を拡大することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、耐圧領域Bの絶縁膜4上に形成されたN型半導体層5aとP型半導体層5bとが交互に隣接配置されてなる過電圧保護ダイオード5を備え、過電圧保護ダイオード5は、絶縁膜4の上面の角部に配置され、角部から半導体基板2の中央部に向けて延在している。
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公开(公告)号：JP6258561B1
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：JP2017521166
申请日：2016-05-26
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0834 , H01L29/16 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/47 , H01L29/7802 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/866
摘要： 【課題】耐圧の低下を抑制し、信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1では、逆バイアス印加状態において絶縁膜4近傍の拡散層3が空乏化するように導体部6,7の端部が過電圧保護ダイオード5に電気的に接続され、および/または、逆バイアス印加状態において絶縁膜4近傍の周辺半導体領域10が空乏化するように導体部8,9の端部が過電圧保護ダイオード5に電気的に接続されている。
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公开(公告)号：JPWO2018116457A1
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：JP2016088450
申请日：2016-12-22
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , F23Q3/00 , H01L29/78
摘要： 【課題】逆バイアス印加状態において半導体スイッチがオンすることを防止する。 【解決手段】コレクタ電極C、エミッタ電極Eおよびゲート電極Gを有する半導体スイッチSWと、一端がコレクタ電極Cに電気的に接続され、他端がゲート電極Gに電気的に接続され、N型半導体層とP型半導体層とが交互に隣接配置されたものとして構成されたツェナーダイオード5Aと、一端がゲート電極Gに電気的に接続され、他端がエミッタ電極Eに電気的に接続され、N型半導体層とP型半導体層とが交互に隣接配置されたものとして構成されたツェナーダイオード5Bとを備え、逆バイアス印加状態においてゲート電極Gの電圧が半導体スイッチSWのオン閾値電圧まで上昇しないようにツェナーダイオード5Aおよびツェナーダイオード5Bが構成されている。
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公开(公告)号：JP6130695B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013059076
申请日：2013-03-21
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
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公开(公告)号：JP2016225469A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015110673
申请日：2015-05-29
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L29/739
CPC分类号： H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903
摘要： 【課題】クレタリングが発生し難いパワー半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体基体110と、半導体基体110の第1主面側に不純物を導入した後、レーザ光を照射して形成された第1半導体領域120と、第1電極層130と、第2主面側に形成された第2電極層140と、第2電極層140に超音波接合により接合された接続部材160とを備え、半導体基体110の厚さ及び接続部材160の断面積は、第2電極層140に接続部材160を接合する際にクレタリングが発生するおそれがある厚さ及び断面積であるパワー半導体装置であって、平面的に見て、第2電極層140に接続部材160が接合された接続部材接合領域R1においては、第1半導体領域120が形成されていない、又は、接続部材非接合領域R2においてよりも第1半導体領域120の形成密度が低いことを特徴とするパワー半導体装置100。 【選択図】図1
摘要翻译： 甲缩孔提供了一种硬的功率半导体装置中发生。 和半导体衬底110，引入的杂质进入半导体衬底110，通过将激光束照射形成的第一半导体区域120的第一主面侧之后，并且第一电极层130，第二 形成在主表面上的第二电极层140，并且通过超声波接合接合到第二电极层140的连接构件160，在半导体主体110的厚的和连接构件160的横截面区域包括第一 的厚度和横截面面积，其是连接构件160接合到第二电极层140时产生缩孔，在平面视图中的功率半导体器件的可能性，连接到第二电极层140构件160 其被接合到第一半导体区域120的功率在有连接构件接合区域R1不形成，或者，其特征在于，所述第一半导体区域120的形成密度比连接部件非粘结区域R2低 半导体器件100。 点域1
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公开(公告)号：JPWO2018061177A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2016078998
申请日：2016-09-30
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/739 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L23/528 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/47 , H01L29/7391 , H01L29/7395 , H01L29/7808 , H01L29/861 , H01L29/866
摘要： 【課題】過電圧保護ダイオードの耐圧変動を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、耐圧領域B上に形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上に交互に隣接配置されたN型半導体層5aとP型半導体層5bを有する過電圧保護ダイオード5と、絶縁膜4上に形成され、過電圧保護ダイオード5に電気的に接続された導体部6,7,8,9と、過電圧保護ダイオード5および導体部6,7,8,9を被覆する絶縁膜15と、絶縁膜15を介して過電圧保護ダイオード5の上方に設けられた高電位部17と、を備え、P型半導体層5bのP型不純物濃度は、N型半導体層5aのN型不純物濃度より低く、高電位部17は、逆バイアス印加状態において、高電位部17の直下に位置するP型半導体層5bの電位よりも高い電位を有するように構成されている。
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公开(公告)号：JP6301551B1
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2017509791
申请日：2016-09-30
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/41 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L23/528 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/47 , H01L29/7391 , H01L29/7395 , H01L29/7808 , H01L29/861 , H01L29/866
摘要： 【課題】過電圧保護ダイオードの耐圧変動を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、耐圧領域B上に形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上に交互に隣接配置されたN型半導体層5aとP型半導体層5bを有する過電圧保護ダイオード5と、絶縁膜4上に形成され、過電圧保護ダイオード5に電気的に接続された導体部6,7,8,9と、過電圧保護ダイオード5および導体部6,7,8,9を被覆する絶縁膜15と、絶縁膜15を介して過電圧保護ダイオード5の上方に設けられた高電位部17と、を備え、P型半導体層5bのP型不純物濃度は、N型半導体層5aのN型不純物濃度より低く、高電位部17は、逆バイアス印加状態において、高電位部17の直下に位置するP型半導体層5bの電位よりも高い電位を有するように構成されている。
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