熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
Abstract:
良好な放熱特性を有する熱伝導性シリコーン組成物と、該組成物を用いた半導体装置の提供。 (A)下記平均組成式(1) R 1 a SiO (4-a)/2 (1) (式中、R 1 は、水素原子、炭素数1〜18の飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基、又はヒドロキシ基を示し、aは1.8≦a≦2.2である。) で表される、25℃における動粘度が10〜100,000mm 2 /sのオルガノポリシロキサン (B)タップ密度が3.0g/cm 3 以上であり、比表面積が2.0m 2 /g以下であり、かつアスペクト比が、1〜30である銀粉末 (C)融点が0〜70℃の、ガリウム単体および/またはガリウム合金:質量比[成分(C)/{成分(B)+成分(C)}]は0.001〜0.1 及び (D)白金系触媒、有機過酸化物及び縮合反応用触媒からなる群より選択される触媒 を含有する熱伝導性シリコーン組成物。
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