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发明专利
TW201703258A 鰭式場效電晶體元件結構與其形成方法 审中-公开
鳍式场效应管组件结构与其形成方法

鰭式場效電晶體元件結構與其形成方法
摘要：
本揭露提供一種鰭式場效電晶體元件結構(FinFET device structure)，包括：一鰭式結構形成於一基板之上；以及一閘極結構，橫跨於該鰭式結構之上。閘極結構包括一閘極電極層，其中該閘極電極層包括一上部份高於該鰭式結構與一下部份低於該鰭式結構，一虛擬介面介於該上部份與該下部份之間，且該下部份具有一漸尖寬度，該漸尖寬度從該虛擬介面到該下部份之一底表面逐漸變尖。
摘要（中）：

本揭露提供一种鳍式场效应管组件结构(FinFET device structure)，包括：一鳍式结构形成于一基板之上；以及一闸极结构，横跨于该鳍式结构之上。闸极结构包括一闸极电极层，其中该闸极电极层包括一上部份高于该鳍式结构与一下部份低于该鳍式结构，一虚拟界面介于该上部份与该下部份之间，且该下部份具有一渐尖宽度，该渐尖宽度从该虚拟界面到该下部份之一底表面逐渐变尖。

摘要（英）：

A FinFET device structure and method for forming the same are provided. The FinFET device structure includes a fin structure formed over a substrate and a gate structure traversing over the fin structure. The gate structure includes a gate electrode layer which includes an upper portion above the fin structure and a lower portion below the fin structure, the virtual surface is formed between the upper portion and the lower portion, and the lower portion has a tapered width which is gradually tapered from the virtual interface to a bottom surface of the lower portion.

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