-
公开(公告)号：TWI602295B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW104131731
申请日：2015-09-25
Inventor： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 施勝棨 , SHIH, SHENG CHI , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN
IPC: H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/28114 , H01L21/28123 , H01L21/32137 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/517
-
公开(公告)号：TWI528551B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103144712
申请日：2014-12-22
Inventor： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC classification number: H01L21/823814 , H01L21/265 , H01L21/2652 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/42364 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7843 , H01L29/7848
-
公开(公告)号：TW201719907A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105137413
申请日：2016-11-16
Inventor： 鄧桔程 , DENG, JIE-CHENG , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG-HUEI , 陳臆仁 , CHEN, YI-JEN
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L29/0653 , H01L29/66545 , H01L29/785
Abstract: 揭露鰭式場效電晶體元件及其形成方法。鰭式場效電晶體元件包括基底、多個閘極以及絕緣牆。基底具有在第一方向上延伸的多個鰭。多個閘極在與第一方向不同的第二方向上延伸，且分別横跨多個鰭。相鄰閘極中的兩者以端對端的方式配置。在第一方向上延伸的絕緣牆位於相鄰閘極的面對端部之間，且與相鄰閘極中的每一者的閘介電材料實體接觸。
Abstract in simplified Chinese: 揭露鳍式场效应管组件及其形成方法。鳍式场效应管组件包括基底、多个闸极以及绝缘墙。基底具有在第一方向上延伸的多个鳍。多个闸极在与第一方向不同的第二方向上延伸，且分别横跨多个鳍。相邻闸极中的两者以端对端的方式配置。在第一方向上延伸的绝缘墙位于相邻闸极的面对端部之间，且与相邻闸极中的每一者的闸介电材料实体接触。
-
公开(公告)号：TW201719906A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105137412
申请日：2016-11-16
Inventor： 鄧桔程 , DENG, JIE-CHENG , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG-HUEI , 陳臆仁 , CHEN, YI-JEN
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L21/823487 , H01L21/823807 , H01L21/823828 , H01L21/823842 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/10826 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2924/13067
Abstract: 揭露鰭式場效電晶體元件及其形成方法。鰭式場效電晶體元件包括基底、多個閘極以及單一間隙壁牆。基底具有在第一方向上延伸的多個鰭。多個閘極在與第一方向不同的第二方向上延伸，且分別横跨多個鰭。相鄰閘極中的兩者以端對端的方式配置。在第一方向上延伸的單一間隙壁牆位於相鄰閘極的面對端部之間，且與相鄰閘極中的每一者的閘介電材料實體接觸。
Abstract in simplified Chinese: 揭露鳍式场效应管组件及其形成方法。鳍式场效应管组件包括基底、多个闸极以及单一间隙壁墙。基底具有在第一方向上延伸的多个鳍。多个闸极在与第一方向不同的第二方向上延伸，且分别横跨多个鳍。相邻闸极中的两者以端对端的方式配置。在第一方向上延伸的单一间隙壁墙位于相邻闸极的面对端部之间，且与相邻闸极中的每一者的闸介电材料实体接触。
-
公开(公告)号：TWI578529B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW105100491
申请日：2016-01-08
Inventor： 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張家瑋 , CHANG, CHAI WEI , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN , 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG
IPC: H01L29/772 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823437 , H01L21/32137 , H01L21/762 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L27/0886 , H01L29/42376 , H01L29/66545 , H01L29/6681 , H01L29/785
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201532276A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103144712
申请日：2014-12-22
Inventor： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC classification number: H01L21/823814 , H01L21/265 , H01L21/2652 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/42364 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7843 , H01L29/7848
Abstract: 提供了形成半導體元件結構之方法的實施例。方法包括於半導體基底上形成閘極堆疊，並於閘極堆疊之側壁上形成密封結構。方法還包括於半導體基底、密封結構、及閘極堆疊上形成虛置遮蔽層。方法更包括於虛置遮蔽層上進行離子佈植製程以於半導體基底中形成源極及汲極區。此外，方法包括在形成源極及汲極區之後，移除虛置遮蔽層。
Abstract in simplified Chinese: 提供了形成半导体组件结构之方法的实施例。方法包括于半导体基底上形成闸极堆栈，并于闸极堆栈之侧壁上形成密封结构。方法还包括于半导体基底、密封结构、及闸极堆栈上形成虚置屏蔽层。方法更包括于虚置屏蔽层上进行离子布植制程以于半导体基底中形成源极及汲极区。此外，方法包括在形成源极及汲极区之后，移除虚置屏蔽层。
-
公开(公告)号：TWI646633B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW105143699
申请日：2016-12-28
Inventor： 鄧桔程 , DENG, JIE CHENG , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN
IPC: H01L21/8234 , H01L21/32 , H01L21/033 , H01L27/088
-
公开(公告)号：TW201803026A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105143699
申请日：2016-12-28
Inventor： 鄧桔程 , DENG, JIE CHENG , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN
IPC: H01L21/8234 , H01L21/32 , H01L21/033 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/0332 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32 , H01L21/32139 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/845 , H01L27/0207 , H01L27/0886 , H01L29/66545 , H01L29/7848
Abstract: 半導體結構包括第一鰭狀結構、第二鰭狀結構、第一閘極、第二閘極、至少一個間隔層及絕緣結構。第一閘極設置於第一鰭狀結構上。第二閘極設置於第二閘極上。間隔層設置於第一閘極及第二閘極中至少一者之至少一個側壁上。絕緣結構設置於第一鰭狀結構與第二鰭狀結構之間，其中間隔層大致上沒有設置於絕緣結構與第一閘極及第二閘極中至少一者之間。
Abstract in simplified Chinese: 半导体结构包括第一鳍状结构、第二鳍状结构、第一闸极、第二闸极、至少一个间隔层及绝缘结构。第一闸极设置于第一鳍状结构上。第二闸极设置于第二闸极上。间隔层设置于第一闸极及第二闸极中至少一者之至少一个侧壁上。绝缘结构设置于第一鳍状结构与第二鳍状结构之间，其中间隔层大致上没有设置于绝缘结构与第一闸极及第二闸极中至少一者之间。
-
公开(公告)号：TW201703258A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105100491
申请日：2016-01-08
Inventor： 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張家瑋 , CHANG, CHAI WEI , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN , 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG
IPC: H01L29/772 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823437 , H01L21/32137 , H01L21/762 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L27/0886 , H01L29/42376 , H01L29/66545 , H01L29/6681 , H01L29/785
Abstract: 本揭露提供一種鰭式場效電晶體元件結構(FinFET device structure)，包括：一鰭式結構形成於一基板之上；以及一閘極結構，橫跨於該鰭式結構之上。閘極結構包括一閘極電極層，其中該閘極電極層包括一上部份高於該鰭式結構與一下部份低於該鰭式結構，一虛擬介面介於該上部份與該下部份之間，且該下部份具有一漸尖寬度，該漸尖寬度從該虛擬介面到該下部份之一底表面逐漸變尖。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种鳍式场效应管组件结构(FinFET device structure)，包括：一鳍式结构形成于一基板之上；以及一闸极结构，横跨于该鳍式结构之上。闸极结构包括一闸极电极层，其中该闸极电极层包括一上部份高于该鳍式结构与一下部份低于该鳍式结构，一虚拟界面介于该上部份与该下部份之间，且该下部份具有一渐尖宽度，该渐尖宽度从该虚拟界面到该下部份之一底表面逐渐变尖。
-
公开(公告)号：TW201614838A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104131731
申请日：2015-09-25
Inventor： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 施勝棨 , SHIH, SHENG CHI , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN
IPC: H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/28114 , H01L21/28123 , H01L21/32137 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 本揭示提供了半導體裝置的結構及其形成方法，半導體裝置包含半導體基底和位於半導體基底上方的第一閘極電極，半導體裝置也包含位於第一閘極電極與半導體基底之間的第一閘極介電層，半導體裝置還包含位於半導體基底上方的第二閘極電極，第二閘極電極具有上部和位於上部與半導體基底之間的下部，且上部寬於下部。此外，半導體裝置包含位於第二閘極電極與半導體基底之間的第二閘極介電層。
Abstract in simplified Chinese: 本揭示提供了半导体设备的结构及其形成方法，半导体设备包含半导体基底和位于半导体基底上方的第一闸极电极，半导体设备也包含位于第一闸极电极与半导体基底之间的第一闸极介电层，半导体设备还包含位于半导体基底上方的第二闸极电极，第二闸极电极具有上部和位于上部与半导体基底之间的下部，且上部宽于下部。此外，半导体设备包含位于第二闸极电极与半导体基底之间的第二闸极介电层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.022 seconds)
