鰭式場效電晶體元件
    3.
    发明专利
    鰭式場效電晶體元件 审中-公开
    鳍式场效应管组件

    公开(公告)号:TW201719907A

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:TW105137413

    申请日:2016-11-16

    Abstract: 揭露鰭式場效電晶體元件及其形成方法。鰭式場效電晶體元件包括基底、多個閘極以及絕緣牆。基底具有在第一方向上延伸的多個鰭。多個閘極在與第一方向不同的第二方向上延伸,且分別横跨多個鰭。相鄰閘極中的兩者以端對端的方式配置。在第一方向上延伸的絕緣牆位於相鄰閘極的面對端部之間,且與相鄰閘極中的每一者的閘介電材料實體接觸。

    Abstract in simplified Chinese: 揭露鳍式场效应管组件及其形成方法。鳍式场效应管组件包括基底、多个闸极以及绝缘墙。基底具有在第一方向上延伸的多个鳍。多个闸极在与第一方向不同的第二方向上延伸,且分别横跨多个鳍。相邻闸极中的两者以端对端的方式配置。在第一方向上延伸的绝缘墙位于相邻闸极的面对端部之间,且与相邻闸极中的每一者的闸介电材料实体接触。

    半導體裝置及其製造方法
    10.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201614838A

    公开(公告)日:2016-04-16

    申请号:TW104131731

    申请日:2015-09-25

    Abstract: 本揭示提供了半導體裝置的結構及其形成方法,半導體裝置包含半導體基底和位於半導體基底上方的第一閘極電極,半導體裝置也包含位於第一閘極電極與半導體基底之間的第一閘極介電層,半導體裝置還包含位於半導體基底上方的第二閘極電極,第二閘極電極具有上部和位於上部與半導體基底之間的下部,且上部寬於下部。此外,半導體裝置包含位於第二閘極電極與半導體基底之間的第二閘極介電層。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭示提供了半导体设备的结构及其形成方法,半导体设备包含半导体基底和位于半导体基底上方的第一闸极电极,半导体设备也包含位于第一闸极电极与半导体基底之间的第一闸极介电层,半导体设备还包含位于半导体基底上方的第二闸极电极,第二闸极电极具有上部和位于上部与半导体基底之间的下部,且上部宽于下部。此外,半导体设备包含位于第二闸极电极与半导体基底之间的第二闸极介电层。

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