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公开(公告)号：TWI578529B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW105100491
申请日：2016-01-08
发明人： 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張家瑋 , CHANG, CHAI WEI , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN , 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823437 , H01L21/32137 , H01L21/762 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L27/0886 , H01L29/42376 , H01L29/66545 , H01L29/6681 , H01L29/785
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公开(公告)号：TW201703122A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105102314
申请日：2016-01-26
发明人： 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張家瑋 , CHANG, CHAI WEI , 廖家陽 , LIAO, CHIA YANG , 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8232 , H01L29/41 , H01L29/772
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/28008 , H01L21/31111 , H01L21/32137 , H01L29/42376 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7856
摘要： 本揭露提供一種鰭式場效電晶體元件結構(FinFET device structure)，包括：一鰭式結構，形成於一基板之上；以及一閘極結構，橫跨於該鰭式結構之上，其中該閘極結構包括一閘極電極層，其中該閘極電極層包括一上部份高於該鰭式結構與一下部份低於該鰭式結構，該上部份具有一頂表面，該下部份具有一底表面，該頂表面具有一第一寬度，該底表面具有一第二寬度，且該第一寬度大於該第二寬度。
简体摘要： 本揭露提供一种鳍式场效应管组件结构(FinFET device structure)，包括：一鳍式结构，形成于一基板之上；以及一闸极结构，横跨于该鳍式结构之上，其中该闸极结构包括一闸极电极层，其中该闸极电极层包括一上部份高于该鳍式结构与一下部份低于该鳍式结构，该上部份具有一顶表面，该下部份具有一底表面，该顶表面具有一第一宽度，该底表面具有一第二宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。
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公开(公告)号：TWI591827B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW103125966
申请日：2014-07-30
发明人： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC分类号： H01L27/1211 , H01L21/32137 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886
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公开(公告)号：TW201517272A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103125966
申请日：2014-07-30
发明人： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC分类号： H01L27/1211 , H01L21/32137 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886
摘要： 一種半導體元件，其包括基底。半導體元件還包括位於基底上之第一鰭結構及第二鰭結構。半導體元件更包括分別橫越於第一鰭結構及第二鰭結構上之第一閘極電極及第二閘極電極。此外，半導體元件包括介於第一鰭結構與第一閘極電極之間，且介於第二鰭結構與第二閘極電極之間的閘極介電層。再者，半導體元件包括位於基底上之虛置閘極電極。虛置閘極電極位於第一閘極電極與第二閘極電極之間，且虛置閘極電極之較高部分寬於虛置閘極電極之較低部分。
简体摘要： 一种半导体组件，其包括基底。半导体组件还包括位于基底上之第一鳍结构及第二鳍结构。半导体组件更包括分别横越于第一鳍结构及第二鳍结构上之第一闸极电极及第二闸极电极。此外，半导体组件包括介于第一鳍结构与第一闸极电极之间，且介于第二鳍结构与第二闸极电极之间的闸极介电层。再者，半导体组件包括位于基底上之虚置闸极电极。虚置闸极电极位于第一闸极电极与第二闸极电极之间，且虚置闸极电极之较高部分宽于虚置闸极电极之较低部分。
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公开(公告)号：TWI647748B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW105102314
申请日：2016-01-26
发明人： 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張家瑋 , CHANG, CHAI WEI , 廖家陽 , LIAO, CHIA YANG , 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8232 , H01L29/41 , H01L29/772
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公开(公告)号：TW201703258A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105100491
申请日：2016-01-08
发明人： 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張家瑋 , CHANG, CHAI WEI , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN , 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823437 , H01L21/32137 , H01L21/762 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L27/0886 , H01L29/42376 , H01L29/66545 , H01L29/6681 , H01L29/785
摘要： 本揭露提供一種鰭式場效電晶體元件結構(FinFET device structure)，包括：一鰭式結構形成於一基板之上；以及一閘極結構，橫跨於該鰭式結構之上。閘極結構包括一閘極電極層，其中該閘極電極層包括一上部份高於該鰭式結構與一下部份低於該鰭式結構，一虛擬介面介於該上部份與該下部份之間，且該下部份具有一漸尖寬度，該漸尖寬度從該虛擬介面到該下部份之一底表面逐漸變尖。
简体摘要： 本揭露提供一种鳍式场效应管组件结构(FinFET device structure)，包括：一鳍式结构形成于一基板之上；以及一闸极结构，横跨于该鳍式结构之上。闸极结构包括一闸极电极层，其中该闸极电极层包括一上部份高于该鳍式结构与一下部份低于该鳍式结构，一虚拟界面介于该上部份与该下部份之间，且该下部份具有一渐尖宽度，该渐尖宽度从该虚拟界面到该下部份之一底表面逐渐变尖。
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公开(公告)号：TW201626571A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104134169
申请日：2015-10-19
发明人： 張哲豪 , ZHANG, ZHE HAO , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66795 , H01L29/7848
摘要： 一種鰭式場效電晶體(FinFET)裝置結構及其形成方法，此鰭式場效電晶體(FinFET)裝置結構包括基底及鰭結構，延伸於上述基底之上方，且包括磊晶結構，形成在上述鰭結構上，其中上述磊晶結構具有第一高度，並且鰭側壁間隔物，鄰接上述磊晶結構，其中上述鰭側壁間隔物具有第二高度，並且上述第一高度大於上述第二高度，並且其中上述鰭側壁間隔物設置用以控制上述磊晶結構的體積和上述第一高度。
简体摘要： 一种鳍式场效应管(FinFET)设备结构及其形成方法，此鳍式场效应管(FinFET)设备结构包括基底及鳍结构，延伸于上述基底之上方，且包括磊晶结构，形成在上述鳍结构上，其中上述磊晶结构具有第一高度，并且鳍侧壁间隔物，邻接上述磊晶结构，其中上述鳍侧壁间隔物具有第二高度，并且上述第一高度大于上述第二高度，并且其中上述鳍侧壁间隔物设置用以控制上述磊晶结构的体积和上述第一高度。
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公开(公告)号：TW201620135A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104132973
申请日：2015-10-07
发明人： 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 倪俊龍 , NI, CHUN LUNG , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/0206 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要： 本揭露提供一種鰭式場效電晶體裝置結構及其形成方法。鰭式場效電晶體包括基板以及延伸高於基板的第一鰭式結構與第二鰭式結構。鰭式場效電晶體亦包括形成於第一鰭式結構之上的第一電晶體及形成於第二鰭式結構之上的第二電晶體。鰭式場效電晶體亦包括層間介電層結構形成於第一電晶體與第二電晶體之間的一末端對末端間距(end-to-end gap)之中，且此末端對末端間距具有一寬度為約20nm至約40nm。
简体摘要： 本揭露提供一种鳍式场效应管设备结构及其形成方法。鳍式场效应管包括基板以及延伸高于基板的第一鳍式结构与第二鳍式结构。鳍式场效应管亦包括形成于第一鳍式结构之上的第一晶体管及形成于第二鳍式结构之上的第二晶体管。鳍式场效应管亦包括层间介电层结构形成于第一晶体管与第二晶体管之间的一末端对末端间距(end-to-end gap)之中，且此末端对末端间距具有一宽度为约20nm至约40nm。
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公开(公告)号：TW201616652A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104123375
申请日：2015-07-20
发明人： 張哲豪 , ZHANG, ZHE HAO , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/085 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66795 , H01L29/7848
摘要： 本揭露提供一種鰭式場效電晶體裝置結構與其形成方法。鰭式場效電晶體裝置結構包括一基板與一隔離結構形成於基板之上。該鰭式場效電晶體裝置結構包括一鰭式結構延伸高於該基板，且該鰭式結構埋設於該基板之中。該鰭式場效電晶體裝置結構包括一磊晶結構形成於該鰭式結構之上，其中該磊晶結構具有類五邊形形狀，且其中該磊晶結構與該鰭式結構之間的一介面低於該隔離結構之一上表面。
简体摘要： 本揭露提供一种鳍式场效应管设备结构与其形成方法。鳍式场效应管设备结构包括一基板与一隔离结构形成于基板之上。该鳍式场效应管设备结构包括一鳍式结构延伸高于该基板，且该鳍式结构埋设于该基板之中。该鳍式场效应管设备结构包括一磊晶结构形成于该鳍式结构之上，其中该磊晶结构具有类五边形形状，且其中该磊晶结构与该鳍式结构之间的一界面低于该隔离结构之一上表面。
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公开(公告)号：TWI628793B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW104123375
申请日：2015-07-20
发明人： 張哲豪 , ZHANG, ZHE HAO , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/085 , H01L21/335
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