Invention Patent
- Patent Title: 半導體元件及其形成方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and manufacturing method thereof
- Patent Title (中): 半导体组件及其形成方法
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Application No.: TW105143415Application Date: 2016-12-27
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Publication No.: TW201730940APublication Date: 2017-09-01
- Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI
- Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Applicant Address: 新竹市
- Assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Current Assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Current Assignee Address: 新竹市
- Agent 李世章; 秦建譜
- Priority: 62/297,750 20160219;15/135,476 20160421
- Main IPC: H01L21/28
- IPC: H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L29/78
Abstract:
一種半導體元件,包含半導體基材與至少一閘極堆疊。閘極堆疊係位於半導體基材上,且閘極堆疊包含至少一功函數導體與填充導體。功函數導體具有凹陷於其中。填充導體具有插塞部與覆蓋部。插塞部係位於功函數導體之凹陷中。覆蓋部覆蓋功函數導體。
Public/Granted literature
- TWI618126B 半導體元件及其形成方法 Public/Granted day:2018-03-11
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IPC分类: