Invention Patent
TW201730940A 半導體元件及其形成方法 审中-公开
半导体组件及其形成方法

半導體元件及其形成方法
Abstract:
一種半導體元件,包含半導體基材與至少一閘極堆疊。閘極堆疊係位於半導體基材上,且閘極堆疊包含至少一功函數導體與填充導體。功函數導體具有凹陷於其中。填充導體具有插塞部與覆蓋部。插塞部係位於功函數導體之凹陷中。覆蓋部覆蓋功函數導體。
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