公开(公告)号：TWI691002B

公开(公告)日：2020-04-11

申请号：TW104136617

申请日：2015-11-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊柏峰 ,  YOUNG, BO FENG ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林木滄 ,  LIN, MU TSANG ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO

IPC: H01L21/441 ,  H01L29/06 ,  H01L29/772

公开(公告)号：TWI681506B

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：TW105135652

申请日：2016-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/538 ,  H01L29/423

公开(公告)号：TWI671855B

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：TW106122685

申请日：2017-07-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  鄭凱予 ,  CHENG, KAI YU ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  楊心怡 ,  YANG, SIN YI ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI648772B

公开(公告)日：2019-01-21

申请号：TW106103018

申请日：2017-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

公开(公告)号：TWI647841B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：TW105138688

申请日：2016-11-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TW201818491A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW105137022

申请日：2016-11-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張簡秀峰 ,  CHANG CHIEN, SHIOW FENG ,  劉又誠 ,  LIU, YU CHENG ,  呂禎祥 ,  LU, CHEN HSIANG ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

Abstract: 提供了半導體裝置的製程設備及其製造方法。此半導體製程設備包括載台以及環繞載台之邊緣環。此邊緣環包括具有第一粗糙度之主表面。邊緣環還包括連接主表面之第一側壁。此第一側壁具有第二粗糙度，且上述第一粗糙度大於此第二粗糙度。

Abstract in simplified Chinese: 提供了半导体设备的制程设备及其制造方法。此半导体制程设备包括载台以及环绕载台之边缘环。此边缘环包括具有第一粗糙度之主表面。边缘环还包括连接主表面之第一侧壁。此第一侧壁具有第二粗糙度，且上述第一粗糙度大于此第二粗糙度。

公开(公告)号：TW201817004A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106126066

申请日：2017-08-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 鰭狀場效電晶體的例示性形成方法包含：形成多個鰭狀結構於基板上，以及形成多個隔離區夾設於每一對相鄰的鰭狀結構之間。蝕刻鰭狀結構與隔離結構的較上部份。分別形成磊晶結構於鰭狀結構上，且每一磊晶結構與其相鄰的磊晶結構相接。介電層沉積於磊晶結構上，且具有孔洞區形成其中。孔洞區夾設於每一對相鄰的鰭狀結構之間。

Abstract in simplified Chinese: 鳍状场效应管的例示性形成方法包含：形成多个鳍状结构于基板上，以及形成多个隔离区夹设于每一对相邻的鳍状结构之间。蚀刻鳍状结构与隔离结构的较上部份。分别形成磊晶结构于鳍状结构上，且每一磊晶结构与其相邻的磊晶结构相接。介电层沉积于磊晶结构上，且具有孔洞区形成其中。孔洞区夹设于每一对相邻的鳍状结构之间。

公开(公告)号：TWI620315B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105133558

申请日：2016-10-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI616954B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW105137185

申请日：2016-11-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI615906B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW105143314

申请日：2016-12-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295