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公开(公告)号:TWI681506B
公开(公告)日:2020-01-01
申请号:TW105135652
申请日:2016-11-03
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE-CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH-HAN
IPC: H01L21/768 , H01L23/482 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/538 , H01L29/423
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公开(公告)号:TWI671855B
公开(公告)日:2019-09-11
申请号:TW106122685
申请日:2017-07-06
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 鄭凱予 , CHENG, KAI YU , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 楊心怡 , YANG, SIN YI , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI
IPC: H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/43 , H01L29/66 , H01L29/78
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公开(公告)号:TWI648772B
公开(公告)日:2019-01-21
申请号:TW106103018
申请日:2017-01-25
Inventor: 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI
IPC: H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/51
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公开(公告)号:TWI647841B
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:TW105138688
申请日:2016-11-24
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI
IPC: H01L29/40 , H01L29/417 , H01L21/28
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公开(公告)号:TW201817004A
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:TW106126066
申请日:2017-08-02
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI
IPC: H01L29/41 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 鰭狀場效電晶體的例示性形成方法包含:形成多個鰭狀結構於基板上,以及形成多個隔離區夾設於每一對相鄰的鰭狀結構之間。蝕刻鰭狀結構與隔離結構的較上部份。分別形成磊晶結構於鰭狀結構上,且每一磊晶結構與其相鄰的磊晶結構相接。介電層沉積於磊晶結構上,且具有孔洞區形成其中。孔洞區夾設於每一對相鄰的鰭狀結構之間。
Abstract in simplified Chinese: 鳍状场效应管的例示性形成方法包含:形成多个鳍状结构于基板上,以及形成多个隔离区夹设于每一对相邻的鳍状结构之间。蚀刻鳍状结构与隔离结构的较上部份。分别形成磊晶结构于鳍状结构上,且每一磊晶结构与其相邻的磊晶结构相接。介电层沉积于磊晶结构上,且具有孔洞区形成其中。孔洞区夹设于每一对相邻的鳍状结构之间。
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公开(公告)号:TWI620315B
公开(公告)日:2018-04-01
申请号:TW105133558
申请日:2016-10-18
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L29/42356 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/785
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公开(公告)号:TWI618242B
公开(公告)日:2018-03-11
申请号:TW106102864
申请日:2017-01-25
Inventor: 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 謝文碩 , HSIEH, WEN SHUO , 黃明傑 , HUANG, MING JIE , 陳嘉仁 , CHEN, CHIA JEN
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L21/823878 , H01L27/088 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L29/0649 , H01L29/66545 , H01L29/66818 , H01L29/7848 , H01L29/7851
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公开(公告)号:TWI616954B
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW105137185
申请日:2016-11-15
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE-CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH-HAN
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1083 , H01L21/0228 , H01L21/0262 , H01L21/26506 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/7848 , H01L29/785
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公开(公告)号:TWI615906B
公开(公告)日:2018-02-21
申请号:TW105143314
申请日:2016-12-27
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
IPC: H01L21/60 , H01L23/535
CPC classification number: H01L21/76831 , H01L21/76811 , H01L21/76832 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53295
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公开(公告)号:TW201802893A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:TW106114256
申请日:2017-04-28
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/823418 , H01L29/66545 , H01L29/66795
Abstract: 半導體裝置的形成方法包含形成多層堆疊於基底上,多層堆疊包含交替的複數個第一層和複數個第二層,將多層堆疊圖案化以形成鰭部,形成隔離區圍繞鰭部,鰭部的上部延伸至隔離區的頂面上方,形成閘極堆疊在鰭部的側壁和鰭部的上部的頂面上,閘極堆疊界定鰭部的通道區,以及從在閘極堆疊以外的鰭部移除這些第一層,移除這些第一層後,鰭部的通道區包含第一層和第二層。
Abstract in simplified Chinese: 半导体设备的形成方法包含形成多层堆栈于基底上,多层堆栈包含交替的复数个第一层和复数个第二层,将多层堆栈图案化以形成鳍部,形成隔离区围绕鳍部,鳍部的上部延伸至隔离区的顶面上方,形成闸极堆栈在鳍部的侧壁和鳍部的上部的顶面上,闸极堆栈界定鳍部的信道区,以及从在闸极堆栈以外的鳍部移除这些第一层,移除这些第一层后,鳍部的信道区包含第一层和第二层。
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