半導體裝置與其形成方法
    5.
    发明专利
    半導體裝置與其形成方法 审中-公开
    半导体设备与其形成方法

    公开(公告)号:TW201817004A

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:TW106126066

    申请日:2017-08-02

    Abstract: 鰭狀場效電晶體的例示性形成方法包含:形成多個鰭狀結構於基板上,以及形成多個隔離區夾設於每一對相鄰的鰭狀結構之間。蝕刻鰭狀結構與隔離結構的較上部份。分別形成磊晶結構於鰭狀結構上,且每一磊晶結構與其相鄰的磊晶結構相接。介電層沉積於磊晶結構上,且具有孔洞區形成其中。孔洞區夾設於每一對相鄰的鰭狀結構之間。

    Abstract in simplified Chinese: 鳍状场效应管的例示性形成方法包含:形成多个鳍状结构于基板上,以及形成多个隔离区夹设于每一对相邻的鳍状结构之间。蚀刻鳍状结构与隔离结构的较上部份。分别形成磊晶结构于鳍状结构上,且每一磊晶结构与其相邻的磊晶结构相接。介电层沉积于磊晶结构上,且具有孔洞区形成其中。孔洞区夹设于每一对相邻的鳍状结构之间。

    半導體裝置的形成方法
    10.
    发明专利
    半導體裝置的形成方法 审中-公开
    半导体设备的形成方法

    公开(公告)号:TW201802893A

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:TW106114256

    申请日:2017-04-28

    Abstract: 半導體裝置的形成方法包含形成多層堆疊於基底上,多層堆疊包含交替的複數個第一層和複數個第二層,將多層堆疊圖案化以形成鰭部,形成隔離區圍繞鰭部,鰭部的上部延伸至隔離區的頂面上方,形成閘極堆疊在鰭部的側壁和鰭部的上部的頂面上,閘極堆疊界定鰭部的通道區,以及從在閘極堆疊以外的鰭部移除這些第一層,移除這些第一層後,鰭部的通道區包含第一層和第二層。

    Abstract in simplified Chinese: 半导体设备的形成方法包含形成多层堆栈于基底上,多层堆栈包含交替的复数个第一层和复数个第二层,将多层堆栈图案化以形成鳍部,形成隔离区围绕鳍部,鳍部的上部延伸至隔离区的顶面上方,形成闸极堆栈在鳍部的侧壁和鳍部的上部的顶面上,闸极堆栈界定鳍部的信道区,以及从在闸极堆栈以外的鳍部移除这些第一层,移除这些第一层后,鳍部的信道区包含第一层和第二层。

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