公开(公告)号：TWI681506B

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：TW105135652

申请日：2016-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/538 ,  H01L29/423

公开(公告)号：TWI671855B

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：TW106122685

申请日：2017-07-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  鄭凱予 ,  CHENG, KAI YU ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  楊心怡 ,  YANG, SIN YI ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI648772B

公开(公告)日：2019-01-21

申请号：TW106103018

申请日：2017-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

公开(公告)号：TWI647841B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：TW105138688

申请日：2016-11-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TW201817004A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106126066

申请日：2017-08-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 鰭狀場效電晶體的例示性形成方法包含：形成多個鰭狀結構於基板上，以及形成多個隔離區夾設於每一對相鄰的鰭狀結構之間。蝕刻鰭狀結構與隔離結構的較上部份。分別形成磊晶結構於鰭狀結構上，且每一磊晶結構與其相鄰的磊晶結構相接。介電層沉積於磊晶結構上，且具有孔洞區形成其中。孔洞區夾設於每一對相鄰的鰭狀結構之間。

Abstract in simplified Chinese: 鳍状场效应管的例示性形成方法包含：形成多个鳍状结构于基板上，以及形成多个隔离区夹设于每一对相邻的鳍状结构之间。蚀刻鳍状结构与隔离结构的较上部份。分别形成磊晶结构于鳍状结构上，且每一磊晶结构与其相邻的磊晶结构相接。介电层沉积于磊晶结构上，且具有孔洞区形成其中。孔洞区夹设于每一对相邻的鳍状结构之间。

公开(公告)号：TWI620315B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105133558

申请日：2016-10-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI618242B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW106102864

申请日：2017-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  謝文碩 ,  HSIEH, WEN SHUO ,  黃明傑 ,  HUANG, MING JIE ,  陳嘉仁 ,  CHEN, CHIA JEN

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TWI616954B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW105137185

申请日：2016-11-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI615906B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW105143314

申请日：2016-12-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295

公开(公告)号：TW201802893A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106114256

申请日：2017-04-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 半導體裝置的形成方法包含形成多層堆疊於基底上，多層堆疊包含交替的複數個第一層和複數個第二層，將多層堆疊圖案化以形成鰭部，形成隔離區圍繞鰭部，鰭部的上部延伸至隔離區的頂面上方，形成閘極堆疊在鰭部的側壁和鰭部的上部的頂面上，閘極堆疊界定鰭部的通道區，以及從在閘極堆疊以外的鰭部移除這些第一層，移除這些第一層後，鰭部的通道區包含第一層和第二層。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备的形成方法包含形成多层堆栈于基底上，多层堆栈包含交替的复数个第一层和复数个第二层，将多层堆栈图案化以形成鳍部，形成隔离区围绕鳍部，鳍部的上部延伸至隔离区的顶面上方，形成闸极堆栈在鳍部的侧壁和鳍部的上部的顶面上，闸极堆栈界定鳍部的信道区，以及从在闸极堆栈以外的鳍部移除这些第一层，移除这些第一层后，鳍部的信道区包含第一层和第二层。