发明专利
- 专利标题: 半導體裝置
- 专利标题(英): Semiconductor device
- 专利标题(中): 半导体设备
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申请号: TW106107045申请日: 2011-01-20
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公开(公告)号: TW201735322A公开(公告)日: 2017-10-01
- 发明人: 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI
- 申请人: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 专利权人: 半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 当前专利权人: 半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 代理商 林志剛
- 优先权: 2010-024579 20100205
- 主分类号: H01L27/105
- IPC分类号: H01L27/105 ; H01L21/8239 ; G11C16/06
摘要:
一種具有新穎結構的半導體裝置,其中,即使當沒有電力被供應時仍然可以固持儲存的資料且對寫入的次數沒有任何限定。在半導體裝置中,均包含第一電晶體、第二電晶體、及電容器的多個記憶胞係以矩陣形式來予以配置,以及,用以連接一個記憶胞至另一個記憶胞的佈線(也稱為位元線)及第一電晶體的源極或汲極電極經由第二電晶體的源極或汲極電極而彼此電連接。因此,佈線的數目小於第一電晶體的源極或汲極電極與第二電晶體的源極或汲極電極連接至不同佈線的情形中之佈線數目。因此,能夠增加半導體裝置的集成度。
公开/授权文献
- TWI609479B 半導體裝置 公开/授权日:2017-12-21
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IPC分类: