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公开(公告)号：TWI647818B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106116701
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04
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公开(公告)号：TWI621130B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103124133
申请日：2014-07-14
发明人： 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 竹村保彦 , TAKEMURA, YASUHIKO , 田中哲弘 , TANAKA, TETSUHIRO , 井上卓之 , INOUE, TAKAYUKI , 竹內敏彥 , TAKEUCHI, TOSHIHIKO , 山根靖正 , YAMANE, YASUMASA , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G11C8/08 , H01L21/8239
CPC分类号： G11C16/0466 , G11C16/20 , H01L21/28282 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L27/11568
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公开(公告)号：TWI619009B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW102137108
申请日：2013-10-15
发明人： 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
CPC分类号： G06F1/3296 , G06F1/3206 , G06F1/3243 , G06F1/3275 , G06F1/3287 , Y02D10/152 , Y02D10/171
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公开(公告)号：TWI594403B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105121104
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4091 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201719819A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW106101874
申请日：2011-07-22
发明人： 齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO , 畑勇氣 , HATA, YUKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/8244 , H01L27/108 , H01L27/11 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/08 , G11C8/14
CPC分类号： H01L27/124 , G11C16/0433 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L28/40
摘要： 目的在於將半導體裝置微小化。另一目的是降低包含記憶胞的半導體裝置之驅動電路的面積。半導體裝置包含設有至少第一半導體元件的元件形成層、設於元件形成層上的第一佈線、設於第一佈線上的層間膜、及與第一佈線重疊而以層間膜設於其間之第二佈線。第一佈線、層間膜、及第二佈線包含於第二半導體元件中。第一佈線及第二佈線是被供予相同電位的佈線。
简体摘要： 目的在于将半导体设备微小化。另一目的是降低包含记忆胞的半导体设备之驱动电路的面积。半导体设备包含设有至少第一半导体组件的组件形成层、设于组件形成层上的第一布线、设于第一布在线的层间膜、及与第一布线重叠而以层间膜设于其间之第二布线。第一布线、层间膜、及第二布线包含于第二半导体组件中。第一布线及第二布线是被供予相同电位的布线。
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公开(公告)号：TWI576691B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW102131554
申请日：2013-09-02
发明人： 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： G06F1/32 , H01L21/786
CPC分类号： G06F1/3243 , G06F1/3287 , G11C5/148 , G11C11/405 , Y02D10/152 , Y02D10/171
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公开(公告)号：TWI574379B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW100108713
申请日：2011-03-15
发明人： 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 岡本知廣 , OKAMOTO, SATOHIRO , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/105 , G11C11/405 , H01L29/78 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/11521 , G11C16/0408 , H01L27/115 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/13 , H01L28/60
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公开(公告)号：TW201639299A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105120981
申请日：2010-12-07
发明人： 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： H03K3/356 , H03K3/037 , H01L29/786
CPC分类号： H03K19/1733 , G11C14/0063 , G11C16/02 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H03K3/356008 , H03K3/35606
摘要： 提供非依電性閂鎖電路及使用非依電性閂鎖電路的半導體裝置。閂鎖電路具有迴路結構，其中，第一元件的輸出電連接至第二元件的輸入及第二元件的輸出經由第二電晶體電連接至第一元件的輸入。以氧化物半導體作為通道形成區的半導體材料之電晶體作為切換元件，以及，設置電容器以電連接至電晶體的源極電極或汲極電極，因而固持閂鎖電路的資料，以及因此形成非依電性閂鎖電路。
简体摘要： 提供非依电性闩锁电路及使用非依电性闩锁电路的半导体设备。闩锁电路具有回路结构，其中，第一组件的输出电连接至第二组件的输入及第二组件的输出经由第二晶体管电连接至第一组件的输入。以氧化物半导体作为信道形成区的半导体材料之晶体管作为切换组件，以及，设置电容器以电连接至晶体管的源极电极或汲极电极，因而固持闩锁电路的数据，以及因此形成非依电性闩锁电路。
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公开(公告)号：TW201638949A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105102136
申请日：2016-01-22
发明人： 石津貴彦 , ISHIZU, TAKAHIKO , 上杉航 , UESUGI, WATARU , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C11/419
CPC分类号： G11C11/419 , G06F2212/221 , G11C5/14 , G11C5/148 , G11C11/418 , G11C14/0054 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 本發明的一個實施方式的目的之一是提供新穎的結構的半導體裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供有利於低功耗化的半導體裝置。一種記憶元件，其包括：能夠將資料備份到非揮發性記憶體的SRAM；以及提供不同電源閘控狀態的記憶單元的週邊電路。在極短的第一期間中，藉由使開關關閉使位元線處於電浮動狀態。在比第一期間長的第二期間中，對記憶單元進行電源閘控。在更長的第三期間中，對記憶單元及週邊電路進行電源閘控。
简体摘要： 本发明的一个实施方式的目的之一是提供新颖的结构的半导体设备。本发明的一个实施方式的目的之一是提供有利于低功耗化的半导体设备。一种记忆组件，其包括：能够将数据备份到非挥发性内存的SRAM；以及提供不同电源闸控状态的记忆单元的周边电路。在极短的第一期间中，借由使开关关闭使比特线处于电浮动状态。在比第一期间长的第二期间中，对记忆单元进行电源闸控。在更长的第三期间中，对记忆单元及周边电路进行电源闸控。
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公开(公告)号：TWI555175B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100123846
申请日：2011-07-06
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/085 , H01L29/40
CPC分类号： H01L27/088 , G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L27/11517 , H01L27/1156 , H01L27/1211 , H01L27/1225
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