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公开(公告)号：TW201733086A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106116701
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4091 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 提供一種具有非揮發性儲存單元的半導體裝置，該非揮發性儲存單元包括使用氧化物半導體的寫入用電晶體、使用與該寫入用電晶體不同的半導體材料的讀出用電晶體以及電容元件。藉由使寫入用電晶體成為導通狀態，將電位供應到寫入用電晶體的源極電極(或汲極電極)、電容元件的一方電極、讀出用電晶體的閘極電極彼此電連接的節點，然後，藉由使寫入用電晶體成為截止狀態，使節點保持預定量的電荷，以對儲存單元寫入資訊。另外，作為讀出用電晶體使用p通道型電晶體，而將讀出電位設定為正的電位。
简体摘要： 提供一种具有非挥发性存储单元的半导体设备，该非挥发性存储单元包括使用氧化物半导体的写入用晶体管、使用与该写入用晶体管不同的半导体材料的读出用晶体管以及电容组件。借由使写入用晶体管成为导通状态，将电位供应到写入用晶体管的源极电极(或汲极电极)、电容组件的一方电极、读出用晶体管的闸极电极彼此电连接的节点，然后，借由使写入用晶体管成为截止状态，使节点保持预定量的电荷，以对存储单元写入信息。另外，作为读出用晶体管使用p信道型晶体管，而将读出电位设置为正的电位。
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公开(公告)号：TWI552315B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW100127747
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4091 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TWI529737B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW100104212
申请日：2011-02-09
发明人： 齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： G11C5/06 , G11C11/405
CPC分类号： G11C11/405 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L28/40
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公开(公告)号：TWI508306B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102144633
申请日：2007-05-25
发明人： 熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/334
CPC分类号： H01L21/02683 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L27/1255 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L28/40
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公开(公告)号：TW201537570A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104121318
申请日：2010-12-24
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： G11C11/405 , H01L27/105
CPC分类号： H01L29/7869 , G11C16/0425 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/10805 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/1225 , H01L28/40 , H01L29/78693 , H01L29/788 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要： 半導體裝置包括源極線、位元線、信號線、字線、在源極線與位元線之間並聯連接的記憶胞、經由切換元件電連接至源極線及位元線之第一驅動器電路、經由切換元件電連接至源極線之第二驅動器電路、電連接至信號線之第三驅動器電路、以及電連接至字線之第四驅動器電路。記憶胞包括包含第一閘極電極、第一源極電極、及第一汲極電極之第一電晶體、包含第二閘極電極、第二源極電極、及第二汲極電極之第二電晶體、以及電容器。第二電晶體包含氧化物半導體材料。
简体摘要： 半导体设备包括源极线、比特线、信号线、字线、在源极线与比特线之间并联连接的记忆胞、经由切换组件电连接至源极线及比特线之第一驱动器电路、经由切换组件电连接至源极线之第二驱动器电路、电连接至信号线之第三驱动器电路、以及电连接至字线之第四驱动器电路。记忆胞包括包含第一闸极电极、第一源极电极、及第一汲极电极之第一晶体管、包含第二闸极电极、第二源极电极、及第二汲极电极之第二晶体管、以及电容器。第二晶体管包含氧化物半导体材料。
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公开(公告)号：TWI427794B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW096118828
申请日：2007-05-25
发明人： 熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/334
CPC分类号： H01L21/02683 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L27/1255 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L28/40
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公开(公告)号：TWI647818B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106116701
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04
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公开(公告)号：TWI594403B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105121104
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4091 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201637179A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105121104
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4091 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 提供一種具有非揮發性儲存單元的半導體裝置，該非揮發性儲存單元包括使用氧化物半導體的寫入用電晶體、使用與該寫入用電晶體不同的半導體材料的讀出用電晶體以及電容元件。藉由使寫入用電晶體成為導通狀態，將電位供應到寫入用電晶體的源極電極(或汲極電極)、電容元件的一方電極、讀出用電晶體的閘極電極彼此電連接的節點，然後，藉由使寫入用電晶體成為截止狀態，使節點保持預定量的電荷，以對儲存單元寫入資訊。另外，作為讀出用電晶體使用p通道型電晶體，而將讀出電位設定為正的電位。
简体摘要： 提供一种具有非挥发性存储单元的半导体设备，该非挥发性存储单元包括使用氧化物半导体的写入用晶体管、使用与该写入用晶体管不同的半导体材料的读出用晶体管以及电容组件。借由使写入用晶体管成为导通状态，将电位供应到写入用晶体管的源极电极(或汲极电极)、电容组件的一方电极、读出用晶体管的闸极电极彼此电连接的节点，然后，借由使写入用晶体管成为截止状态，使节点保持预定量的电荷，以对存储单元写入信息。另外，作为读出用晶体管使用p信道型晶体管，而将读出电位设置为正的电位。
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公开(公告)号：TW201631588A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105113606
申请日：2011-08-23
发明人： 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： G11C16/06 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C8/08 , G11C11/403 , G11C11/405 , G11C11/4085 , G11C16/02 , G11C16/0433 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C2211/4016
摘要： 本發明的一個方式的目的之一是提供一種即使沒有電力供給也能夠保持儲存內容且對寫入次數也沒有限制的半導體裝置。使用能夠使電晶體的截止電流足夠小的材料，例如作為寬頻隙半導體的氧化物半導體材料構成半導體裝置。藉由使用能夠使電晶體的截止電流足夠小的半導體材料，可以在長期間保持資訊。另外，藉由設置電連接到寫入字線的電容元件或雜訊去除電路，可以降低或去除輸入到儲存單元的短脈衝或雜訊等的信號。由此，可以防止因儲存單元所具有的電晶體瞬間地成為導通而寫入在儲存單元中的資料消失的錯誤工作。
简体摘要： 本发明的一个方式的目的之一是提供一种即使没有电力供给也能够保持存储内容且对写入次数也没有限制的半导体设备。使用能够使晶体管的截止电流足够小的材料，例如作为宽带隙半导体的氧化物半导体材料构成半导体设备。借由使用能够使晶体管的截止电流足够小的半导体材料，可以在长期间保持信息。另外，借由设置电连接到写入字线的电容组件或噪声去除电路，可以降低或去除输入到存储单元的短脉冲或噪声等的信号。由此，可以防止因存储单元所具有的晶体管瞬间地成为导通而写入在存储单元中的数据消失的错误工作。
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