本發明披露一種製作半導體元件的方法。提供一基板，包含一第一區域，設有一第一電晶體、一第二區域，設有一第二晶體、一溝渠絕緣區域、一電阻形成區域。第一層間介電層覆蓋第一、第二區域與電阻形成區域。接著於第一、第二區域及電阻形成區域上形成一電阻材料層及一蓋層。圖案化蓋層及電阻材料層，於第一、第二區域上形成第一硬遮罩圖案，於電阻形成區域形成第二硬遮罩圖案。非等向性蝕刻電阻材料層。於基板上沉積第二層間介電層。利用遮罩及第一硬遮罩圖案圖案化第二層間介電層及第一層間介電層，形成接觸洞。