公开(公告)号：TWI695476B

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：TW106105522

申请日：2017-02-20

申请人： 日商艾普凌科有限公司 ,  ABLIC INC.

发明人： 北島裕一郎 ,  KITAJIMA, YUICHIRO

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L23/528

公开(公告)号：TWI693689B

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：TW107137531

申请日：2018-10-24

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 程仲良 ,  CHENG, CHUNG LIANG ,  陳彥羽 ,  CHEN, YEN YU

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L23/532 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TWI679743B

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW107129274

申请日：2018-08-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 陳致霖 ,  CHEN, CHIH-LIN ,  劉欽洲 ,  LIU, CHIN-CHOU ,  張豐願 ,  CHANG, FONG-YUAN ,  李惠宇 ,  LEE, HUI-YU ,  黃博祥 ,  HUANG, PO-HSIANG

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L27/01

公开(公告)号：TW201839947A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW107126735

申请日：2017-04-06

申请人： 南韓商三星電機股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

发明人： 韓美子 ,  HAN,MI JA ,  崔誠喜 ,  CHOI,SEONG HEE ,  金漢 ,  KIM,HAN ,  金汶日 ,  KIM,MOON IL ,  朴大賢 ,  PARK,DAE HYUN

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/498 ,  H01L23/525 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

摘要： 一種扇出型半導體封裝包括：第一連接構件，具有貫穿孔；半導體晶片，配置於第一連接構件的貫穿孔中且具有主動表面及與主動表面相對的被動表面，主動表面上配置有連接墊；包封體，包覆第一連接構件及半導體晶片的被動表面的至少部分；以及第二連接構件，配置於第一連接構件上及半導體晶片的主動表面上。第一連接構件及第二連接構件分別包括電性連接至半導體晶片的連接墊的重佈線層，且第一連接構件包括電性連接至半導體晶片的連接墊的線圈圖案層。

简体摘要： 一种扇出型半导体封装包括：第一连接构件，具有贯穿孔；半导体芯片，配置于第一连接构件的贯穿孔中且具有主动表面及与主动表面相对的被动表面，主动表面上配置有连接垫；包封体，包覆第一连接构件及半导体芯片的被动表面的至少部分；以及第二连接构件，配置于第一连接构件上及半导体芯片的主动表面上。第一连接构件及第二连接构件分别包括电性连接至半导体芯片的连接垫的重布线层，且第一连接构件包括电性连接至半导体芯片的连接垫的线圈图案层。

公开(公告)号：TWI639219B

公开(公告)日：2018-10-21

申请号：TW104100720

申请日：2015-01-09

申请人： 日商艾普凌科有限公司 ,  SII SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 北島裕一郎 ,  KITAJIMA, YUICHIRO

IPC分类号： H01L23/525

公开(公告)号：TWI634559B

公开(公告)日：2018-09-01

申请号：TW105125122

申请日：2016-08-08

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 廖忠志 ,  LIAW, JHON JHY ,  吳顯揚 ,  WU, SHIEN YANG

IPC分类号： G11C17/16 ,  H01L23/525

公开(公告)号：TW201822332A

公开(公告)日：2018-06-16

申请号：TW105141092

申请日：2016-12-12

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 呂佳霖 ,  LU, CHIA-LIN ,  陳俊隆 ,  CHEN, CHUN-LUNG ,  廖琨垣 ,  LIAO, KUN-YUAN ,  彭翔鴻 ,  PENG, HSIANG-HUNG ,  黃偉豪 ,  HUANG, WEI-HAO ,  洪慶文 ,  HUNG, CHING-WEN ,  黃志森 ,  HUANG, CHIH-SEN

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L45/00

摘要： 本發明披露一種製作半導體元件的方法。提供一基板，包含一第一區域，設有一第一電晶體、一第二區域，設有一第二晶體、一溝渠絕緣區域、一電阻形成區域。第一層間介電層覆蓋第一、第二區域與電阻形成區域。接著於第一、第二區域及電阻形成區域上形成一電阻材料層及一蓋層。圖案化蓋層及電阻材料層，於第一、第二區域上形成第一硬遮罩圖案，於電阻形成區域形成第二硬遮罩圖案。非等向性蝕刻電阻材料層。於基板上沉積第二層間介電層。利用遮罩及第一硬遮罩圖案圖案化第二層間介電層及第一層間介電層，形成接觸洞。

简体摘要： 本发明披露一种制作半导体组件的方法。提供一基板，包含一第一区域，设有一第一晶体管、一第二区域，设有一第二晶体、一沟渠绝缘区域、一电阻形成区域。第一层间介电层覆盖第一、第二区域与电阻形成区域。接着于第一、第二区域及电阻形成区域上形成一电阻材料层及一盖层。图案化盖层及电阻材料层，于第一、第二区域上形成第一硬遮罩图案，于电阻形成区域形成第二硬遮罩图案。非等向性蚀刻电阻材料层。于基板上沉积第二层间介电层。利用遮罩及第一硬遮罩图案图案化第二层间介电层及第一层间介电层，形成接触洞。

公开(公告)号：TW201818517A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW106104178

申请日：2017-02-09

申请人： 三星電機股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

发明人： 李潤泰 ,  LEE, YUN TAE ,  金成漢 ,  KIM, SUNG HAN ,  金漢 ,  KIM, HAN

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/525 ,  H01L23/538

摘要： 一種扇出型半導體封裝包括：第一連接構件，具有貫穿孔；半導體晶片，安置於貫穿孔中且具有主動表面及被動表面，主動表面上安置有連接墊且被動表面與主動表面相對地安置；虛設晶片，安置於貫穿孔中且與半導體晶片間隔開；第二連接構件，安置於第一連接構件上、虛設晶片上及半導體晶片的主動表面上；以及囊封體，囊封第一連接構件的至少某些部分、虛設晶片的至少某些部分及半導體晶片的被動表面的至少某些部分。第一連接構件及第二連接構件各自包括重佈線層，重佈線層電性連接至連接墊。

简体摘要： 一种扇出型半导体封装包括：第一连接构件，具有贯穿孔；半导体芯片，安置于贯穿孔中且具有主动表面及被动表面，主动表面上安置有连接垫且被动表面与主动表面相对地安置；虚设芯片，安置于贯穿孔中且与半导体芯片间隔开；第二连接构件，安置于第一连接构件上、虚设芯片上及半导体芯片的主动表面上；以及囊封体，囊封第一连接构件的至少某些部分、虚设芯片的至少某些部分及半导体芯片的被动表面的至少某些部分。第一连接构件及第二连接构件各自包括重布线层，重布线层电性连接至连接垫。

公开(公告)号：TWI624024B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：TW105130420

申请日：2016-09-21

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 謝祥金 ,  XIE, XIANGJIN ,  劉 鳳全 ,  LIU, FENG Q. ,  姚 大平 ,  YAO, DAPING ,  珍森 亞歷山大 ,  JANSEN, ALEXANDER ,  李正周 ,  LEE, JOUNG JOO ,  艾倫 阿道夫米勒 ,  ALLEN, ADOLPH MILLER ,  唐 先敏 ,  TANG, XIANMIN ,  張 鎂 ,  CHANG, MEI

IPC分类号： H01L23/525

公开(公告)号：TW201810584A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106103432

申请日：2017-02-02

申请人： 三星電機股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

发明人： 吳暻燮 ,  OH, KYUNG SEOB ,  河京武 ,  HARR, KYOUNG MOO ,  李斗煥 ,  LEE, DOO HWAN ,  吳承喆 ,  OH, SEUNG CHUL ,  金亨俊 ,  KIM, HYOUNG JOON ,  曺允錫 ,  CHO, YOON SUK

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/525

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511

摘要： 本發明提供一種扇出型半導體封裝，其包含：具有穿孔的框架；半導體晶片，安置於穿孔中且包含連接墊；囊封體，其囊封框架的至少一部分及半導體晶片；及重佈層，安置於框架及半導體晶片上且包含第一區及第二區。在第一區中安置有第一通孔及第二通孔，第一通孔及第二通孔電連接至連接墊中的一者且安置於不同層中且藉由佈線圖案連接。在第二區中安置有第三通孔及第四通孔，第三通孔及第四通孔電連接至連接墊中的另一者且安置於不同層中且藉由佈線圖案連接。第一通孔與第二通孔的軸線之間的距離比第三通孔與第四通孔的軸線之間的距離短。

简体摘要： 本发明提供一种扇出型半导体封装，其包含：具有穿孔的框架；半导体芯片，安置于穿孔中且包含连接垫；囊封体，其囊封框架的至少一部分及半导体芯片；及重布层，安置于框架及半导体芯片上且包含第一区及第二区。在第一区中安置有第一通孔及第二通孔，第一通孔及第二通孔电连接至连接垫中的一者且安置于不同层中且借由布线图案连接。在第二区中安置有第三通孔及第四通孔，第三通孔及第四通孔电连接至连接垫中的另一者且安置于不同层中且借由布线图案连接。第一通孔与第二通孔的轴线之间的距离比第三通孔与第四通孔的轴线之间的距离短。