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公开(公告)号：TWI682547B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104132809
申请日：2015-10-06
发明人： 洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 吳奕寬 , WU, YI-KUAN , 吳家榮 , WU, JIA-RONG , 李怡慧 , LEE, YI-HUI , 劉盈成 , LIU, YING-CHENG , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN , 陳意維 , CHEN, YI-WEI
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公开(公告)号：TW201714300A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104132809
申请日：2015-10-06
发明人： 洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 吳奕寬 , WU, YI-KUAN , 吳家榮 , WU, JIA-RONG , 李怡慧 , LEE, YI-HUI , 劉盈成 , LIU, YING-CHENG , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN , 陳意維 , CHEN, YI-WEI
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/02521 , H01L21/28518 , H01L21/28568 , H01L21/31 , H01L21/31116 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/41766 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66643 , H01L29/66969
摘要： 一種半導體結構的製作方法包括下列步驟。於一半導體基底中形成一磊晶區。於磊晶區上形成一介電層，並於介電層中形成一接觸孔洞。接觸孔洞暴露出部分之磊晶區。於被接觸孔洞暴露之磊晶區上形成一含氧化物層，並於含氧化物層上以及接觸孔洞中形成一接觸結構。含氧化物層係位於接觸結構與磊晶區之間。一種半導體結構包括半導體基底、至少一磊晶區、接觸結構、含氧化物層以及矽化物層。磊晶區設置於半導體基底中，接觸結構設置於磊晶區上，含氧化物層設置於磊晶區與接觸結構之間，且矽化物層設置於含氧化物層與接觸結構之間。
简体摘要： 一种半导体结构的制作方法包括下列步骤。于一半导体基底中形成一磊晶区。于磊晶区上形成一介电层，并于介电层中形成一接触孔洞。接触孔洞暴露出部分之磊晶区。于被接触孔洞暴露之磊晶区上形成一含氧化物层，并于含氧化物层上以及接触孔洞中形成一接触结构。含氧化物层系位于接触结构与磊晶区之间。一种半导体结构包括半导体基底、至少一磊晶区、接触结构、含氧化物层以及硅化物层。磊晶区设置于半导体基底中，接触结构设置于磊晶区上，含氧化物层设置于磊晶区与接触结构之间，且硅化物层设置于含氧化物层与接触结构之间。
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公开(公告)号：TW201714208A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104132992
申请日：2015-10-07
发明人： 洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 吳家榮 , WU, JIA-RONG , 李怡慧 , LEE, YI-HUI , 劉盈成 , LIU, YING-CHENG , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN , 林俊賢 , LIN, CHUN-HSIEN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/423
CPC分类号： H01L21/28123 , H01L21/28088 , H01L21/28518 , H01L21/76805 , H01L21/76834 , H01L21/76837 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76883 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L29/0653 , H01L29/4966 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7851
摘要： 本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，然後形成一第一閘極結構於基底上，形成一第一接觸插塞於第一閘極結構旁，以及進行一金屬閘極置換製程將第一閘極結構轉換為金屬閘極。
简体摘要： 本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，然后形成一第一闸极结构于基底上，形成一第一接触插塞于第一闸极结构旁，以及进行一金属闸极置换制程将第一闸极结构转换为金属闸极。
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公开(公告)号：TWI651812B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW104116909
申请日：2015-05-27
发明人： 洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 羅偉銓 , LO, WEI-CYUAN , 陳明瑞 , CHEN, MING-JUI , 呂佳霖 , LU, CHIA-LIN , 吳家榮 , WU, JIA-RONG , 李怡慧 , LEE, YI-HUI , 劉盈成 , LIU, YING-CHENG , 吳奕寬 , WU, YI-KUAN , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN , 陳意維 , CHEN, YI-WEI , 殷旦雅 , YIN, TAN-YA , 黃家緯 , HUANG, CHIA-WEI , 王淑如 , WANG, SHU-RU , 鄭永豐 , CHENG, YUNG-FENG
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公开(公告)号：TW201822332A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105141092
申请日：2016-12-12
发明人： 呂佳霖 , LU, CHIA-LIN , 陳俊隆 , CHEN, CHUN-LUNG , 廖琨垣 , LIAO, KUN-YUAN , 彭翔鴻 , PENG, HSIANG-HUNG , 黃偉豪 , HUANG, WEI-HAO , 洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN
IPC分类号： H01L23/525 , H01L45/00
摘要： 本發明披露一種製作半導體元件的方法。提供一基板，包含一第一區域，設有一第一電晶體、一第二區域，設有一第二晶體、一溝渠絕緣區域、一電阻形成區域。第一層間介電層覆蓋第一、第二區域與電阻形成區域。接著於第一、第二區域及電阻形成區域上形成一電阻材料層及一蓋層。圖案化蓋層及電阻材料層，於第一、第二區域上形成第一硬遮罩圖案，於電阻形成區域形成第二硬遮罩圖案。非等向性蝕刻電阻材料層。於基板上沉積第二層間介電層。利用遮罩及第一硬遮罩圖案圖案化第二層間介電層及第一層間介電層，形成接觸洞。
简体摘要： 本发明披露一种制作半导体组件的方法。提供一基板，包含一第一区域，设有一第一晶体管、一第二区域，设有一第二晶体、一沟渠绝缘区域、一电阻形成区域。第一层间介电层覆盖第一、第二区域与电阻形成区域。接着于第一、第二区域及电阻形成区域上形成一电阻材料层及一盖层。图案化盖层及电阻材料层，于第一、第二区域上形成第一硬遮罩图案，于电阻形成区域形成第二硬遮罩图案。非等向性蚀刻电阻材料层。于基板上沉积第二层间介电层。利用遮罩及第一硬遮罩图案图案化第二层间介电层及第一层间介电层，形成接触洞。
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公开(公告)号：TW201725628A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100229
申请日：2016-01-06
发明人： 洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 劉盈成 , LIU, YING-CHENG , 吳家榮 , WU, JIA-RONG , 李怡慧 , LEE, YI-HUI , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/772
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/823425 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/41791 , H01L29/66795 , H01L29/7843 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要： 本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，然後形成一第一鰭狀結構以及一第二鰭狀結構於基底上，形成一第一磊晶層於第一鰭狀結構上以及一第二磊晶層於第二鰭狀結構上，接著形成一遮蓋層於第一磊晶層及第二磊晶層上，其中第一磊晶層及第二磊晶層之間之一距離係介於遮蓋層厚度的二倍至遮蓋層厚度的四倍。
简体摘要： 本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，然后形成一第一鳍状结构以及一第二鳍状结构于基底上，形成一第一磊晶层于第一鳍状结构上以及一第二磊晶层于第二鳍状结构上，接着形成一遮盖层于第一磊晶层及第二磊晶层上，其中第一磊晶层及第二磊晶层之间之一距离系介于遮盖层厚度的二倍至遮盖层厚度的四倍。
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公开(公告)号：TWI675406B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW104132992
申请日：2015-10-07
发明人： 洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 吳家榮 , WU, JIA-RONG , 李怡慧 , LEE, YI-HUI , 劉盈成 , LIU, YING-CHENG , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN , 林俊賢 , LIN, CHUN-HSIEN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/423
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公开(公告)号：TW201709291A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104128275
申请日：2015-08-28
发明人： 呂佳霖 , LU, CHIA-LIN , 陳俊隆 , CHEN, CHUN-LUNG , 童宇誠 , TUNG, YU-CHENG , 廖琨垣 , LIAO, KUN-YUAN , 張峰溢 , CHANG, FENG-YI , 劉恩銓 , LIOU, EN-CHIUAN , 黃偉豪 , HUANG, WEI-HAO , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN , 洪慶文 , HUNG, CHING-WEN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/823437 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823475 , H01L27/088
摘要： 一種半導體結構的製作方法包括下列步驟。於半導體基底上形成複數個閘極結構，於兩相鄰之閘極結構之間形成源極/汲極接觸。對源極/汲極接觸進行掘入製程。於掘入製程之後，源極/汲極接觸之上表面低於閘極結構之上表面。於掘入製程之後，於閘極結構與源極/汲極接觸上形成停止層，且位於源極/汲極接觸上之停止層之上表面低於閘極結構之上表面。一種半導體結構包括半導體基底、閘極結構、閘極接觸結構與源極/汲極接觸。源極/汲極接觸設置於兩相鄰之閘極結構之間，源極/汲極接觸之上表面係低於閘極結構之上表面。
简体摘要： 一种半导体结构的制作方法包括下列步骤。于半导体基底上形成复数个闸极结构，于两相邻之闸极结构之间形成源极/汲极接触。对源极/汲极接触进行掘入制程。于掘入制程之后，源极/汲极接触之上表面低于闸极结构之上表面。于掘入制程之后，于闸极结构与源极/汲极接触上形成停止层，且位于源极/汲极接触上之停止层之上表面低于闸极结构之上表面。一种半导体结构包括半导体基底、闸极结构、闸极接触结构与源极/汲极接触。源极/汲极接触设置于两相邻之闸极结构之间，源极/汲极接触之上表面系低于闸极结构之上表面。
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公开(公告)号：TW201701413A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104138863
申请日：2015-11-24
发明人： 洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN , 鄒世芳 , TZOU, SHIH-FANG , 陳意維 , CHEN, YI-WEI , 鄭永豐 , CHENG, YUNG-FENG , 黃莉萍 , HUANG, LI-PING , 黃俊憲 , HUANG, CHUN-HSIEN , 黃家緯 , HUANG, CHIA-WEI , 郭有策 , KUO, YU-TSE
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11 , H01L29/41 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/768 , H01L21/76816 , H01L21/76829 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L29/66545 , H01L29/6681 , H01L29/7851
摘要： 本發明提供一種鰭狀電晶體SRAM記憶元件，以及製作上述元件的方法，可防止當部分金屬接觸件靠近相鄰虛置邊緣單元之虛置閘極時，電流在位元單元之金屬接觸件之間藉由虛置閘極所產生的短路現象。本發明一實施例，藉由一經改良之閘極空槽圖案，延伸鄰近位元單元之一或多個閘極空槽的長度，以在圖案化閘極層的過程中，圖案化並區段化靠近主動記憶體單元之金屬接觸件的虛置閘極線。在另一實施例中，圖案化閘極層的過程中，調整相鄰主動記憶體單元之一或多條虛置閘極之間的距離，使得位於虛置邊緣單元內的虛置閘極遠離主動記憶體單元之金屬接觸件。
简体摘要： 本发明提供一种鳍状晶体管SRAM记忆组件，以及制作上述组件的方法，可防止当部分金属接触件靠近相邻虚置边缘单元之虚置闸极时，电流在比特单元之金属接触件之间借由虚置闸极所产生的短路现象。本发明一实施例，借由一经改良之闸极空槽图案，延伸邻近比特单元之一或多个闸极空槽的长度，以在图案化闸极层的过程中，图案化并区段化靠近主动内存单元之金属接触件的虚置闸极线。在另一实施例中，图案化闸极层的过程中，调整相邻主动内存单元之一或多条虚置闸极之间的距离，使得位于虚置边缘单元内的虚置闸极远离主动内存单元之金属接触件。
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公开(公告)号：TWI692851B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105141092
申请日：2016-12-12
发明人： 呂佳霖 , LU, CHIA-LIN , 陳俊隆 , CHEN, CHUN-LUNG , 廖琨垣 , LIAO, KUN-YUAN , 彭翔鴻 , PENG, HSIANG-HUNG , 黃偉豪 , HUANG, WEI-HAO , 洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN
IPC分类号： H01L23/525 , H01L45/00
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