Invention Patent
- Patent Title: 隔離子鰭部漏洩的系統、方法和裝置
- Patent Title (English): SYSTEMS, METHODS AND DEVICES FOR ISOLATION FOR SUBFIN LEAKAGE
- Patent Title (中): 隔离子鳍部漏泄的系统、方法和设备
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Application No.: TW106127489Application Date: 2017-08-14
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Publication No.: TW201824374APublication Date: 2018-07-01
- Inventor: 甘尼 塔何 , GHANI, TAHIR , 卡瓦李耶羅 傑克 , KAVALIEROS, JACK , 莫希 安拿 , MURTHY, ANAND , 肯奈爾 哈洛 , KENNEL, HAROLD , 葛雷斯 葛蘭 , GLASS, GLENN , 阿格拉瓦 艾希許 , AGRAWAL, ASHISH , 朱功 班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 成承訓 , SUNG, SEUNG HOON , 勒 凡 , LE, VAN , 邱克賽 西達哈斯 , CHOUKSEY, SIDDHARTH , 黃政穎 , HUANG, CHENG YING
- Applicant: 美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- Assignee: 美商英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- Current Assignee: 美商英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- Agent 林志剛
- Priority: PCT/US16/54196 20160928
- Main IPC: H01L21/28
- IPC: H01L21/28 ; H01L21/265 ; H01L29/36 ; H01L29/41
Abstract:
有關矽鍺(SiGe)/淺溝槽隔離(STI)介面的子鰭部漏洩問題可以用環形佈植來予以減緩。環形佈植被用來形成高電阻層。例如，矽基板層(204)係耦合至SiGe層，其係耦合至鍺(Ge)層。閘極係設置於Ge層上。佈植被佈植於Ge層中，其致使該層變得更具電阻性。然而，區域由於正被閘極所保護(或覆蓋)而並未受到該佈植，所以該區域仍然比剩下的Ge層較不具電阻性。在有些實施例中，Ge層的電阻區可被蝕刻及/或下切(蝕刻底切或EUC)可被實施，以使Ge層之未被佈植的Ge區暴露出。
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IPC分类:
