Invention Patent
- Patent Title: 半導體裝置結構之製造方法
- Patent Title (English): METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE
- Patent Title (中): 半导体设备结构之制造方法
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Application No.: TW106118240Application Date: 2017-06-02
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Publication No.: TW201830500APublication Date: 2018-08-16
- Inventor: 黃士文 , HUANG, SHIH WEN , 朱韻文 , CHU, YUN WEN , 柯宏憲 , KE, HONG HSIEN , 林嘉慧 , LIN, CHIA HUI , 蔡釋嚴 , TSAI, SHIN YEU , 張世杰 , CHANG, SHIH CHIEH
- Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Applicant Address: 新竹市
- Assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Current Assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Current Assignee Address: 新竹市
- Agent 洪澄文; 顏錦順
- Priority: 62/427,063 20161128;15/494,023 20170421
- Main IPC: H01L21/283
- IPC: H01L21/283
Abstract:
提供了半導體裝置結構之製造方法。此半導體裝置結構之製造方法包括形成一閘極結構於一半導體基板上,形成複數個間隔構件鄰接該閘極結構之側壁,形成一保護材料層於該閘極結構上。上述形成該保護材料層之步驟包括非電漿步驟。此半導體裝置結構之製造方法更包括沈積一介電材料層於該保護材料層上。上述沈積該介電材料層之沈積步驟包括電漿步驟。
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