Invention Patent
TW201830500A 半導體裝置結構之製造方法 审中-公开
半导体设备结构之制造方法

半導體裝置結構之製造方法
Abstract:
提供了半導體裝置結構之製造方法。此半導體裝置結構之製造方法包括形成一閘極結構於一半導體基板上,形成複數個間隔構件鄰接該閘極結構之側壁,形成一保護材料層於該閘極結構上。上述形成該保護材料層之步驟包括非電漿步驟。此半導體裝置結構之製造方法更包括沈積一介電材料層於該保護材料層上。上述沈積該介電材料層之沈積步驟包括電漿步驟。
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