公开(公告)号：TW201830500A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106118240

申请日：2017-06-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃士文 ,  HUANG, SHIH WEN ,  朱韻文 ,  CHU, YUN WEN ,  柯宏憲 ,  KE, HONG HSIEN ,  林嘉慧 ,  LIN, CHIA HUI ,  蔡釋嚴 ,  TSAI, SHIN YEU ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH

IPC: H01L21/283

Abstract: 提供了半導體裝置結構之製造方法。此半導體裝置結構之製造方法包括形成一閘極結構於一半導體基板上，形成複數個間隔構件鄰接該閘極結構之側壁，形成一保護材料層於該閘極結構上。上述形成該保護材料層之步驟包括非電漿步驟。此半導體裝置結構之製造方法更包括沈積一介電材料層於該保護材料層上。上述沈積該介電材料層之沈積步驟包括電漿步驟。

Abstract in simplified Chinese: 提供了半导体设备结构之制造方法。此半导体设备结构之制造方法包括形成一闸极结构于一半导体基板上，形成复数个间隔构件邻接该闸极结构之侧壁，形成一保护材料层于该闸极结构上。上述形成该保护材料层之步骤包括非等离子步骤。此半导体设备结构之制造方法更包括沉积一介电材料层于该保护材料层上。上述沉积该介电材料层之沉积步骤包括等离子步骤。

公开(公告)号：TW202008429A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108125353

申请日：2019-07-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李雋毅 ,  LEE, CHUN-YI ,  柯宏憲 ,  KE, HONG-HSIEN ,  柯忠廷 ,  KO, CHUNG-TING ,  林嘉慧 ,  LIN, CHIA-HUI ,  李志鴻 ,  LI, JR-HUNG

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/3065

Abstract: 蝕刻停止層形成於半導體鰭狀物與閘極堆疊上。蝕刻停止層的形成方法採用一系列提供前驅物材料之脈衝的步驟。第一脈衝將第一前驅物材料導向半導體鰭狀物與閘極堆疊。第二脈衝導入第二前驅物材料，其轉變為電漿並接著在非等向的沉積製程中朝向半導體鰭狀物與閘極堆疊。如此一來，蝕刻停止層沿著下表面的厚度，大於蝕刻停止層沿著側壁的厚度。

Abstract in simplified Chinese: 蚀刻停止层形成于半导体鳍状物与闸极堆栈上。蚀刻停止层的形成方法采用一系列提供前驱物材料之脉冲的步骤。第一脉冲将第一前驱物材料导向半导体鳍状物与闸极堆栈。第二脉冲导入第二前驱物材料，其转变为等离子并接着在非等向的沉积制程中朝向半导体鳍状物与闸极堆栈。如此一来，蚀刻停止层沿着下表面的厚度，大于蚀刻停止层沿着侧壁的厚度。