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公开(公告)号：TW201507029A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103108191
申请日：2014-03-10
Inventor： 蔡釋嚴 , TSAI, SHINYEU , 林嘉慧 , LIN, CHIAHUI , 陳勁宇 , CHEN, CHINGYU , 彭垂亞 , PENG, CHUIYA
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76229
Abstract: 一種半導體裝置製造方法，包含：沉積絕緣物質於一半導體基板之複數溝槽中並覆蓋半導體基板；形成第一層以覆蓋絕緣物質；以及移除第一層以及絕緣物質。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备制造方法，包含：沉积绝缘物质于一半导体基板之复数沟槽中并覆盖半导体基板；形成第一层以覆盖绝缘物质；以及移除第一层以及绝缘物质。
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公开(公告)号：TW201803014A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106121973
申请日：2017-06-30
Inventor： 許宗翰 , HSU, TSUNG HAN , 王冠程 , WANG, KUAN CHENG , 蕭寒稊 , HSIAW, HAN TI , 蔡釋嚴 , TSAI, SHIN YEU
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/02271 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0649 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本揭露的實施例提供一種半導體裝置的形成方法，其包含：蝕刻一半導體基底，以形成延伸而進入上述半導體基底的複數個溝槽；以及沉積一第一介電層而使其進入上述溝槽內，上述第一介電層填充上述溝槽的下部。在一第一含氧的製程氣體中，對上述第一介電層進行紫外線處理。上述方法更包含沉積一第二介電層而使其進入上述溝槽內，上述第二介電層填充上述溝槽的上部。在一第二含氧的製程氣體中，對上述第二介電層進行熱處理。在上述熱處理後，對上述第一介電層與上述第二介電層進行一退火處理。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露的实施例提供一种半导体设备的形成方法，其包含：蚀刻一半导体基底，以形成延伸而进入上述半导体基底的复数个沟槽；以及沉积一第一介电层而使其进入上述沟槽内，上述第一介电层填充上述沟槽的下部。在一第一含氧的制程气体中，对上述第一介电层进行紫外线处理。上述方法更包含沉积一第二介电层而使其进入上述沟槽内，上述第二介电层填充上述沟槽的上部。在一第二含氧的制程气体中，对上述第二介电层进行热处理。在上述热处理后，对上述第一介电层与上述第二介电层进行一退火处理。
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公开(公告)号：TWI566297B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW103108191
申请日：2014-03-10
Inventor： 蔡釋嚴 , TSAI, SHINYEU , 林嘉慧 , LIN, CHIAHUI , 陳勁宇 , CHEN, CHINGYU , 彭垂亞 , PENG, CHUIYA
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76229
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公开(公告)号：TW201830580A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106119976
申请日：2017-06-15
Inventor： 蕭寒稊 , HSIAW, HAN TI , 吳文成 , WU, WEN CHENG , 孫誌鴻 , SUN, CHIH HUNG , 陳致宇 , CHEN, JR YU , 王冠程 , WANG, KUAN CHENG , 蔡釋嚴 , TSAI, SHIN YEU , 邱意為 , CHIU, YI WEI
IPC: H01L21/768
Abstract: 方法包括：對部份第一層進行佈植以形成佈植區，並移除第一層的未佈植的部份。在移除第一層的未佈植的部份後，保留佈植區。接著對第一層下的第二層進行蝕刻，其中佈植區作為蝕刻中的第一蝕刻遮罩之一部份。移除佈植區。以第二層作為遮罩，蝕刻金屬遮罩以形成圖案化遮罩。接著蝕刻層間介電物以形成接點開口，其中圖案化的遮罩作為第二蝕刻遮罩。
Abstract in simplified Chinese: 方法包括：对部份第一层进行布植以形成布植区，并移除第一层的未布植的部份。在移除第一层的未布植的部份后，保留布植区。接着对第一层下的第二层进行蚀刻，其中布植区作为蚀刻中的第一蚀刻遮罩之一部份。移除布植区。以第二层作为遮罩，蚀刻金属遮罩以形成图案化遮罩。接着蚀刻层间介电物以形成接点开口，其中图案化的遮罩作为第二蚀刻遮罩。
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公开(公告)号：TWI646632B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106119976
申请日：2017-06-15
Inventor： 蕭寒稊 , HSIAW, HAN TI , 吳文成 , WU, WEN CHENG , 孫誌鴻 , SUN, CHIH HUNG , 陳致宇 , CHEN, JR YU , 王冠程 , WANG, KUAN CHENG , 蔡釋嚴 , TSAI, SHIN YEU , 邱意為 , CHIU, YI WEI
IPC: H01L21/768
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201824435A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105141746
申请日：2016-12-16
Inventor： 張永昌 , CHANG, YUNG CHANG , 蔡釋嚴 , TSAI, SHIN YEU , 黃國希 , HUANG, KUO HSI , 游宗勳 , YU, TSUNG HSUN , 李雋毅 , LEE, CHUN YI
IPC: H01L21/673 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 一種晶圓承載裝置，包括一驅動機構、一晶圓基座、以及一電性隔離元件。驅動機構耦接於一接地電壓。晶圓基座設置於驅動機構上，且包括一容置槽，用以放置一晶圓。電性隔離元件設置於晶圓基座上，以抑制晶圓以及接地電壓之間的電荷流動。
Abstract in simplified Chinese: 一种晶圆承载设备，包括一驱动机构、一晶圆基座、以及一电性隔离组件。驱动机构耦接于一接地电压。晶圆基座设置于驱动机构上，且包括一容置槽，用以放置一晶圆。电性隔离组件设置于晶圆基座上，以抑制晶圆以及接地电压之间的电荷流动。
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公开(公告)号：TW201814830A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106100590
申请日：2017-01-09
Inventor： 黃士文 , HUANG, SHIH WEN , 鄭凱鴻 , CHENG, KAI HUNG , 林嘉慧 , LIN, CHIA HUI , 蔡釋嚴 , TSAI, SHIN YEU
IPC: H01L21/762 , H01L29/36
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/2254 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L21/76237 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L29/0649
Abstract: 一種半導體裝置之形成方法，其包括蝕刻半導體基板以形成複數個溝槽，且溝槽之間的一部分半導體基板成為半導體條，且沉積介電劑量層至半導體條之側壁。上述介電劑量層摻雜有n型或p型摻質。以介電材料填充溝槽的剩餘部分。對介電材料進行平坦化。介電劑量層及介電材料之殘餘部分形成淺溝槽隔離區。進行熱處理以將介電劑量層中之摻質擴散至半導體條。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备之形成方法，其包括蚀刻半导体基板以形成复数个沟槽，且沟槽之间的一部分半导体基板成为半导体条，且沉积介电剂量层至半导体条之侧壁。上述介电剂量层掺杂有n型或p型掺质。以介电材料填充沟槽的剩余部分。对介电材料进行平坦化。介电剂量层及介电材料之残余部分形成浅沟槽隔离区。进行热处理以将介电剂量层中之掺质扩散至半导体条。
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公开(公告)号：TW201830500A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106118240
申请日：2017-06-02
Inventor： 黃士文 , HUANG, SHIH WEN , 朱韻文 , CHU, YUN WEN , 柯宏憲 , KE, HONG HSIEN , 林嘉慧 , LIN, CHIA HUI , 蔡釋嚴 , TSAI, SHIN YEU , 張世杰 , CHANG, SHIH CHIEH
IPC: H01L21/283
Abstract: 提供了半導體裝置結構之製造方法。此半導體裝置結構之製造方法包括形成一閘極結構於一半導體基板上，形成複數個間隔構件鄰接該閘極結構之側壁，形成一保護材料層於該閘極結構上。上述形成該保護材料層之步驟包括非電漿步驟。此半導體裝置結構之製造方法更包括沈積一介電材料層於該保護材料層上。上述沈積該介電材料層之沈積步驟包括電漿步驟。
Abstract in simplified Chinese: 提供了半导体设备结构之制造方法。此半导体设备结构之制造方法包括形成一闸极结构于一半导体基板上，形成复数个间隔构件邻接该闸极结构之侧壁，形成一保护材料层于该闸极结构上。上述形成该保护材料层之步骤包括非等离子步骤。此半导体设备结构之制造方法更包括沉积一介电材料层于该保护材料层上。上述沉积该介电材料层之沉积步骤包括等离子步骤。
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公开(公告)号：TWI628739B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106100590
申请日：2017-01-09
Inventor： 黃士文 , HUANG, SHIH WEN , 鄭凱鴻 , CHENG, KAI HUNG , 林嘉慧 , LIN, CHIA HUI , 蔡釋嚴 , TSAI, SHIN YEU
IPC: H01L21/762 , H01L29/36
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公开(公告)号：TWI625822B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106121973
申请日：2017-06-30
Inventor： 許宗翰 , HSU, TSUNG HAN , 王冠程 , WANG, KUAN CHENG , 蕭寒稊 , HSIAW, HAN TI , 蔡釋嚴 , TSAI, SHIN YEU
IPC: H01L21/76
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