发明专利
- 专利标题： 半導體裝置及其製造方法
- 专利标题（英）： SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（中）： 半导体设备及其制造方法
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申请号： TW106109888申请日： 2017-03-24
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公开(公告)号： TW201835983A公开(公告)日： 2018-10-01
- 发明人: 馬洛宜 庫馬 , MANOJ, KUMAR , 李家豪 , LEE, CHIA HAO , 李芳名 , LEE, FANG MING , 李文山 , LEE, WEN SHAN , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI
- 申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
- 申请人地址： 新竹縣
- 专利权人： 世界先進積體電路股份有限公司,VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
- 当前专利权人： 世界先進積體電路股份有限公司,VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
- 当前专利权人地址： 新竹縣
- 代理商 洪澄文; 顏錦順
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/40 ; H01L29/36
摘要：
半導體裝置的製造方法包含提供具有第一導電型的半導體基底，形成具有第一導電型的磊晶層於半導體基底上，形成閘極電極於磊晶層上，形成第一遮罩圖案於閘極電極上，實施第一摻雜製程，使用第一遮罩圖案為遮罩，在閘極電極之相反兩側的磊晶層中形成虛設源極區和汲極區，其中虛設源極區和汲極區具有第二導電型，且第二導電型與第一導電型相反，以及實施第二摻雜製程，將虛設源極區轉換成源極區，其中源極區具有第一導電型。
公开/授权文献
- TWI618128B 半導體裝置及其製造方法 公开/授权日：2018-03-11
信息查询
IPC分类:
