半導體元件及其製造方法

Invention Patent

TW202022925A 半導體元件及其製造方法审中-公开

Simplified title: 半导体组件及其制造方法

Patent Title: 半導體元件及其製造方法
Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Patent Title (中): 半导体组件及其制造方法
Application No.: TW108109570

Application Date: 2019-03-20
Publication No.: TW202022925A

Publication Date: 2020-06-16
Inventor: 丘世仰 , CHIU, HSIH-YANG
Applicant: 南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
Applicant Address: 新北市
Assignee: 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
Current Assignee: 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
Current Assignee Address: 新北市
Agent 陳長文; 馮博生
Priority: 62/773,602 20181130;16/281,360 20190221
Main IPC: H01L21/027
IPC: H01L21/027 ; H01L21/60 ; H01L23/528

Abstract:

本揭露提供一種半導體元件及其製造方法。該半導體元件包括：一半導體基底、一抑制層、複數個接觸插塞以及複數個穿矽通孔。該抑制層設置在該半導體基底的上方；該接觸插塞插入該抑制層內；該穿矽通孔從該半導體基底的一背表面延伸到一前表面，該前表面與該背表面相對，其中該穿矽通孔分別與該接觸插塞接觸。

Abstract(Chinese):

本揭露提供一种半导体组件及其制造方法。该半导体组件包括：一半导体基底、一抑制层、复数个接触插塞以及复数个穿硅通孔。该抑制层设置在该半导体基底的上方；该接触插塞插入该抑制层内；该穿硅通孔从该半导体基底的一背表面延伸到一前表面，该前表面与该背表面相对，其中该穿硅通孔分别与该接触插塞接触。

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Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜