Invention Patent
- Patent Title: 半導體元件及其製造方法
- Patent Title (中): 半导体组件及其制造方法
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Application No.: TW108136506Application Date: 2019-10-09
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Publication No.: TW202027144APublication Date: 2020-07-16
- Inventor: 松本良輔 , MATSUMOTO, RYOSUKE
- Applicant: 日商索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
- Assignee: 日商索尼半導體解決方案公司,SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
- Current Assignee: 日商索尼半導體解決方案公司,SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
- Agent 陳長文
- Priority: 2018-195110 20181016
- Main IPC: H01L21/28
- IPC: H01L21/28 ; H01L27/148 ; G02B6/13 ; G02B6/122
Abstract:
一種半導體元件,其具備:元件基板,其設置有中央部之元件區域及上述元件區域之外側之周邊區域;及讀出電路基板,其與上述元件基板對向;上述元件基板包含:第1半導體層,其設置於上述元件區域,且包含化合物半導體材料;配線層,其設置於上述第1半導體層與上述讀出電路基板之間,將上述第1半導體層與上述讀出電路基板電性連接;第1鈍化膜,其設置於上述配線層與上述第1半導體層之間;及第2鈍化膜,其隔著上述第1半導體層而與上述第1鈍化膜對向;且上述元件基板之上述周邊區域具有與上述讀出電路基板之接合面。
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IPC分类: