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    半導體元件及其製造方法
    1.
    发明专利
    半導體元件及其製造方法 审中-公开
    半导体组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW202027144A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108136506

    申请日：2019-10-09

    申请人： 日商索尼半導體解決方案公司 ,  SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION

    发明人： 松本良輔 ,  MATSUMOTO, RYOSUKE

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L27/148 ,  G02B6/13 ,  G02B6/122

    摘要： 一種半導體元件，其具備：元件基板，其設置有中央部之元件區域及上述元件區域之外側之周邊區域；及讀出電路基板，其與上述元件基板對向；上述元件基板包含：第1半導體層，其設置於上述元件區域，且包含化合物半導體材料；配線層，其設置於上述第1半導體層與上述讀出電路基板之間，將上述第1半導體層與上述讀出電路基板電性連接；第1鈍化膜，其設置於上述配線層與上述第1半導體層之間；及第2鈍化膜，其隔著上述第1半導體層而與上述第1鈍化膜對向；且上述元件基板之上述周邊區域具有與上述讀出電路基板之接合面。

    简体摘要： 一种半导体组件，其具备：组件基板，其设置有中央部之组件区域及上述组件区域之外侧之周边区域；及读出电路基板，其与上述组件基板对向；上述组件基板包含：第1半导体层，其设置于上述组件区域，且包含化合物半导体材料；配线层，其设置于上述第1半导体层与上述读出电路基板之间，将上述第1半导体层与上述读出电路基板电性连接；第1钝化膜，其设置于上述配线层与上述第1半导体层之间；及第2钝化膜，其隔着上述第1半导体层而与上述第1钝化膜对向；且上述组件基板之上述周边区域具有与上述读出电路基板之接合面。

    光學感測器
    2.
    发明专利
    光學感測器 审中-公开
    光学传感器

    公开(公告)号：TW202023046A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW109105480

    申请日：2016-08-29

    申请人： 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

    发明人： 那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN ,  梁哲夫 ,  LIANG, CHE-FU

    IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/101 ,  G01J1/44

    摘要： 一光學感測器包含一半導體基板、一第一光吸收區、一第二光吸收區及一感測控制信號；第一光吸收區形成於半導體基板上方，並用以吸收具有一第一波段之複數光子並產生複數光載子；第二光吸收區形成於第一吸收區上方，並用以吸收具有一第二波段之複數光子並產生複數光載子；感測控制信號耦接於第二吸收區，並用以提供至少一第一控制準位及一第二控制準位。

    简体摘要： 一光学传感器包含一半导体基板、一第一光吸收区、一第二光吸收区及一传感控制信号；第一光吸收区形成于半导体基板上方，并用以吸收具有一第一波段之复数光子并产生复数光载子；第二光吸收区形成于第一吸收区上方，并用以吸收具有一第二波段之复数光子并产生复数光载子；传感控制信号耦接于第二吸收区，并用以提供至少一第一控制准位及一第二控制准位。