发明专利
- 专利标题： 雙功函數閘極結構
- 专利标题（英）： Dual work function gate structures
- 专利标题（中）： 双功函数闸极结构
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申请号： TW099141904申请日： 2010-12-02
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公开(公告)号： TWI521672B公开(公告)日： 2016-02-11
- 发明人: 哈弗茲 華利德M , HAFEZ, WALID M. , 拉曼 安尼蘇 , RAHMAN, ANISUR
- 申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾公司,INTEL CORPORATION
- 代理商 惲軼群; 陳文郎
- 优先权： 12/646,698 20091223
- 主分类号： H01L27/04
- IPC分类号： H01L27/04 ; H01L21/28
公开/授权文献
- TW201133781A 雙功函數閘極結構 DUAL WORK FUNCTION GATE STRUCTURES 公开/授权日：2011-10-01
信息查询
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