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    利用非平面佈局的抗熔絲元件
    3.
    发明专利
    利用非平面佈局的抗熔絲元件 审中-公开
    利用非平面布局的抗熔丝组件

    公开(公告)号：TW201334119A

    公开(公告)日：2013-08-16

    申请号：TW101135911

    申请日：2012-09-28

    申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 哈弗茲 華利德M ,  HAFEZ, WALID M. ,  簡嘉宏 ,  JAN, CHIA-HONG ,  蔡 庫提斯 ,  TSAI, CURTIS ,  朴洙東 ,  PARK, JOODONG ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA D.

    IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L23/62 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L27/11206 ,  H01L21/823821 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/7853 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 在此揭露用以提供非依電性抗熔絲記憶體元件以及其他抗熔絲鏈結的技術。在若干實施例中，該抗熔絲記憶體元件係組配為諸如鰭式場效電晶體佈局之非平面佈局。在若干此等實施例中，藉由產生適用於較低電壓非依電性抗熔絲記憶體元件之增強發射點，該鰭片佈局可受操控，且用以有效地遙控較低崩潰電壓電晶體。於一範例實施例中，提供一半導體抗熔絲裝置，其包括具有組配有一漸縮部分之一鰭片的一非平面擴散區域、於含括有該漸縮部分之該鰭片上的一介電質隔離層、以及於該介電質隔離層上的一閘極材料。該鰭片的該漸縮部分可藉由例如氧化、蝕刻以及剝蝕所形成，且於若干案例中，該漸縮部分包括一基底區以及一薄化區，且該薄化區至少較該基底區薄50%。

    简体摘要： 在此揭露用以提供非依电性抗熔丝内存组件以及其他抗熔丝链结的技术。在若干实施例中，该抗熔丝内存组件系组配为诸如鳍式场效应管布局之非平面布局。在若干此等实施例中，借由产生适用于较低电压非依电性抗熔丝内存组件之增强发射点，该鳍片布局可受操控，且用以有效地遥控较低崩溃电压晶体管。于一范例实施例中，提供一半导体抗熔丝设备，其包括具有组配有一渐缩部分之一鳍片的一非平面扩散区域、于含括有该渐缩部分之该鳍片上的一介电质隔离层、以及于该介电质隔离层上的一闸极材料。该鳍片的该渐缩部分可借由例如氧化、蚀刻以及剥蚀所形成，且于若干案例中，该渐缩部分包括一基底区以及一薄化区，且该薄化区至少较该基底区薄50%。

    用於靜電放電（ＥＳＤ）保護之延伸汲極非平面金氧半場效電晶體
    6.
    发明专利
    用於靜電放電（ＥＳＤ）保護之延伸汲極非平面金氧半場效電晶體 审中-公开
    用于静电放电（ＥＳＤ）保护之延伸汲极非平面金氧半场效应管

    公开(公告)号：TW201417199A

    公开(公告)日：2014-05-01

    申请号：TW102133629

    申请日：2013-09-17

    申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 亞森 艾克姆 ,  AHSAN, AKM ,  哈弗茲 華利德M ,  HAFEZ, WALID M.

    IPC分类号： H01L21/60

    CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L27/027 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7851 ,  H01L2924/0002 ,  H02H3/22 ,  H01L2924/00

    摘要： 描述採用一或多個非平面金氧半場效電晶體(MOSFET)的電壓驟回靜電放電(ESD)保護裝置。該等ESD保護裝置可進一步包括輕度摻雜延伸汲極區，其電阻可透過獨立於維持於地電位之一閘極電極的控制閘而電容式控制。控制閘可為浮動或受偏壓以調節ESD保護裝置效能。於實施例中，複數個核心電路係以複數個非平面以MOSFET為基礎的ESD保護裝置而受保護，該等複數個非平面以MOSFET為基礎的ESD保護裝置具有橫過各者而改變的控制閘電位。

    简体摘要： 描述采用一或多个非平面金氧半场效应管(MOSFET)的电压骤回静电放电(ESD)保护设备。该等ESD保护设备可进一步包括轻度掺杂延伸汲极区，其电阻可透过独立于维持于地电位之一闸极电极的控制闸而电容式控制。控制闸可为浮动或受偏压以调节ESD保护设备性能。于实施例中，复数个内核电路系以复数个非平面以MOSFET为基础的ESD保护设备而受保护，该等复数个非平面以MOSFET为基础的ESD保护设备具有横过各者而改变的控制闸电位。

    用於靜電放電（ＥＳＤ）保護之延伸汲極非平面金氧半場效電晶體（二）
    7.
    发明专利
    用於靜電放電（ＥＳＤ）保護之延伸汲極非平面金氧半場效電晶體（二） 审中-公开
    用于静电放电（ＥＳＤ）保护之延伸汲极非平面金氧半场效应管（二）

    公开(公告)号：TW201639052A

    公开(公告)日：2016-11-01

    申请号：TW105109464

    申请日：2013-09-17

    申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 亞森 艾克姆 ,  AHSAN, AKM ,  哈弗茲 華利德M ,  HAFEZ, WALID M.

    IPC分类号： H01L21/60

    CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L27/027 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7851 ,  H01L2924/0002 ,  H02H3/22 ,  H01L2924/00

    摘要： 描述採用一或多個非平面金氧半場效電晶體(MOSFET)的電壓驟回靜電放電(ESD)保護裝置。該等ESD保護裝置可進一步包括輕度摻雜延伸汲極區，其電阻可透過獨立於維持於地電位之一閘極電極的控制閘而電容式控制。控制閘可為浮動或受偏壓以調節ESD保護裝置效能。於實施例中，複數個核心電路係以複數個非平面以MOSFET為基礎的ESD保護裝置而受保護，該等複數個非平面以MOSFET為基礎的ESD保護裝置具有橫過各者而改變的控制閘電位。

    简体摘要： 描述采用一或多个非平面金氧半场效应管(MOSFET)的电压骤回静电放电(ESD)保护设备。该等ESD保护设备可进一步包括轻度掺杂延伸汲极区，其电阻可透过独立于维持于地电位之一闸极电极的控制闸而电容式控制。控制闸可为浮动或受偏压以调节ESD保护设备性能。于实施例中，复数个内核电路系以复数个非平面以MOSFET为基础的ESD保护设备而受保护，该等复数个非平面以MOSFET为基础的ESD保护设备具有横过各者而改变的控制闸电位。

    具有熱效能提升之電晶體
    9.
    发明专利
    具有熱效能提升之電晶體 审中-公开
    具有热性能提升之晶体管

    公开(公告)号：TW201737349A

    公开(公告)日：2017-10-16

    申请号：TW106106498

    申请日：2017-02-24

    申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 哈弗茲 華利德 M. ,  HAFEZ, WALID M. ,  朴洙東 ,  PARK, JOODONG ,  簡 嘉宏 ,  JAN, CHIA-HONG ,  張旭佑 ,  CHANG, HSU-YU ,  李呈光 ,  LEE, CHEN-GUAN

    IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/70 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/78

    摘要： 揭示用於形成具有熱效能提升之一電晶體的技術。熱效能提升可自涵括相鄰該電晶體的熱提升材料而衍生，於該處該材料可基於所形成的電晶體類型加以選擇。以PMOS裝置為例，該相鄰熱提升材料可具有一高正線性熱膨脹係數(CTE)(例如，於約20℃大於5 ppm/℃)及如此隨操作溫度之升高而膨脹，因而在一相鄰電晶體之該通道區上感應壓縮應變及增加載子(例如，電洞)遷移率。以NMOS裝置為例，該相鄰熱提升材料可具有一負線性CTE(例如，於約20℃小於0 ppm/℃)及如此隨操作溫度之升高而收縮，因而在一相鄰電晶體之該通道區上感應拉伸應變及增加載子(例如，電子)遷移率。

    简体摘要： 揭示用于形成具有热性能提升之一晶体管的技术。热性能提升可自涵括相邻该晶体管的热提升材料而衍生，于该处该材料可基于所形成的晶体管类型加以选择。以PMOS设备为例，该相邻热提升材料可具有一高正线性热膨胀系数(CTE)(例如，于约20℃大于5 ppm/℃)及如此随操作温度之升高而膨胀，因而在一相邻晶体管之该信道区上感应压缩应变及增加载子(例如，电洞)迁移率。以NMOS设备为例，该相邻热提升材料可具有一负线性CTE(例如，于约20℃小于0 ppm/℃)及如此随操作温度之升高而收缩，因而在一相邻晶体管之该信道区上感应拉伸应变及增加载子(例如，电子)迁移率。

    利用非平面佈局的抗熔絲元件（二）
    10.
    发明专利
    利用非平面佈局的抗熔絲元件（二） 审中-公开
    利用非平面布局的抗熔丝组件（二）

    公开(公告)号：TW201731027A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105143185

    申请日：2012-09-28

    申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 哈弗茲 華利德M ,  HAFEZ, WALID M. ,  簡嘉宏 ,  JAN, CHIA-HONG ,  蔡 庫提斯 ,  TSAI, CURTIS ,  朴洙東 ,  PARK, JOODONG ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA D.

    IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L23/62 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L27/11206 ,  H01L21/823821 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/7853 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 在此揭露用以提供非依電性抗熔絲記憶體元件以及其他抗熔絲鏈結的技術。在若干實施例中，該抗熔絲記憶體元件係組配為諸如鰭式場效電晶體佈局之非平面佈局。在若干此等實施例中，藉由產生適用於較低電壓非依電性抗熔絲記憶體元件之增強發射點，該鰭片佈局可受操控，且用以有效地遙控較低崩潰電壓電晶體。於一範例實施例中，提供一半導體抗熔絲裝置，其包括具有組配有一漸縮部分之一鰭片的一非平面擴散區域、於含括有該漸縮部分之該鰭片上的一介電質隔離層、以及於該介電質隔離層上的一閘極材料。該鰭片的該漸縮部分可藉由例如氧化、蝕刻以及剝蝕所形成，且於若干案例中，該漸縮部分包括一基底區以及一薄化區，且該薄化區至少較該基底區薄50%。

    简体摘要： 在此揭露用以提供非依电性抗熔丝内存组件以及其他抗熔丝链结的技术。在若干实施例中，该抗熔丝内存组件系组配为诸如鳍式场效应管布局之非平面布局。在若干此等实施例中，借由产生适用于较低电压非依电性抗熔丝内存组件之增强发射点，该鳍片布局可受操控，且用以有效地遥控较低崩溃电压晶体管。于一范例实施例中，提供一半导体抗熔丝设备，其包括具有组配有一渐缩部分之一鳍片的一非平面扩散区域、于含括有该渐缩部分之该鳍片上的一介电质隔离层、以及于该介电质隔离层上的一闸极材料。该鳍片的该渐缩部分可借由例如氧化、蚀刻以及剥蚀所形成，且于若干案例中，该渐缩部分包括一基底区以及一薄化区，且该薄化区至少较该基底区薄50%。