发明专利
- 专利标题： 鰭式場效電晶體元件結構與其形成方法
- 专利标题（英）： FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
- 专利标题（中）： 鳍式场效应管组件结构与其形成方法
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申请号： TW105100491申请日： 2016-01-08
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公开(公告)号： TWI578529B公开(公告)日： 2017-04-11
- 发明人: 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張家瑋 , CHANG, CHAI WEI , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN , 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理商 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 62/188,028 20150702;14/942,491 20151116
- 主分类号： H01L29/772
- IPC分类号： H01L29/772 ; H01L21/336
公开/授权文献
- TW201703258A 鰭式場效電晶體元件結構與其形成方法 公开/授权日：2017-01-16
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