发明专利
- 专利标题： 用於溝槽功率MOSFET的自對準接頭
- 专利标题（英）： Self-aligned contact for trench power mosfet
- 专利标题（中）： 用于沟槽功率MOSFET的自对准接头
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申请号： TW105110991申请日： 2016-04-08
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公开(公告)号： TWI621160B公开(公告)日： 2018-04-11
- 发明人: 薛 宏勇 , XUE, HONGYONG , 雷 燮光 , LUI, SIK , 黃 士彰 , HUANG, TERENCE , 林 靖凱 , LIN, CHING-KAI , 李文軍 , LI, WENJUN , 楊易昌 , YANG, YI-CHANG , 鄧 覺為 , DUN, JOWEI
- 申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 当前专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 代理商 楊長峯; 李國光; 張仲謙
- 优先权： US14/681,887 20150408
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/40 ; H01L29/41 ; H01L29/78
公开/授权文献
- TW201637082A 用於溝槽功率MOSFET的自對準接頭 公开/授权日：2016-10-16
信息查询
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