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公开(公告)号：TWI621160B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW105110991
申请日：2016-04-08
发明人： 薛 宏勇 , XUE, HONGYONG , 雷 燮光 , LUI, SIK , 黃 士彰 , HUANG, TERENCE , 林 靖凱 , LIN, CHING-KAI , 李文軍 , LI, WENJUN , 楊易昌 , YANG, YI-CHANG , 鄧 覺為 , DUN, JOWEI
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813
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公开(公告)号：TWI594422B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105102024
申请日：2016-01-22
发明人： 李文軍 , LI, WENJUN , 保羅 托魯普 , THORUP, PAUL , 常 虹 , CHANG, HONG , 李亦衡 , LEE, YEEHANG , 向泱 , XIANG, YANG , 鄧 覺為 , DUN, JOWEI , 薛 宏勇 , XUE, HONGYONG , 顧 一鳴 , GU, YIMING
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/2658 , H01L21/28035 , H01L29/4236
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公开(公告)号：TW201637082A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105110991
申请日：2016-04-08
发明人： 薛 宏勇 , XUE, HONGYONG , 雷 燮光 , LUI, SIK , 黃 士彰 , HUANG, TERENCE , 林 靖凱 , LIN, CHING-KAI , 李文軍 , LI, WENJUN , 楊易昌 , YANG, YI-CHANG , 鄧 覺為 , DUN, JOWEI
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813
摘要： 本發明係揭露一種溝槽功率MOSFET元件的自對準接頭。該元件具有一個氮化層，位於閘極溝槽中導電材料上方，以及每兩個鄰近的接觸結構之間的那部分檯面結構上方。更可選擇，該元件具有一個氧化層，在閘極溝槽中的導電材料上方，以及每兩個鄰近的接觸結構之間的那部分檯面結構上方。要強調的是，本發明摘要是為了滿足摘要的要求，允許研究人員或其他讀者快速掌握技術方案的主旨內容。提交本專利應理解，它不會被用來解釋或限制申請專利範圍的範圍或含義。
简体摘要： 本发明系揭露一种沟槽功率MOSFET组件的自对准接头。该组件具有一个氮化层，位于闸极沟槽中导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。更可选择，该组件具有一个氧化层，在闸极沟槽中的导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。要强调的是，本发明摘要是为了满足摘要的要求，允许研究人员或其他读者快速掌握技术方案的主旨内容。提交本专利应理解，它不会被用来解释或限制申请专利范围的范围或含义。
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公开(公告)号：TWI593108B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104139119
申请日：2015-11-25
发明人： 李亦衡 , LEE, YEEHANG , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 薛 宏勇 , XUE, HONGYONG , 顧 一鳴 , GU, YIMING , 向泱 , XIANG, YANG , 黃 士彰 , HUANG, TERENCE , 謝卡爾 拉瑪莫西 , RAMAMOORTHY, SEKAR , 李文軍 , LI, WENJUN , 常 虹 , CHANG, HONG , 馬督兒 博德 , BOBDE, MADHUR , 保羅 托魯普 , THORUP, PAUL , 哈姆紥 依瑪茲 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/28008 , H01L27/088 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66484 , H01L29/66613 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/7813
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公开(公告)号：TW201639160A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105102024
申请日：2016-01-22
发明人： 李文軍 , LI, WENJUN , 保羅 托魯普 , THORUP, PAUL , 常 虹 , CHANG, HONG , 李亦衡 , LEE, YEEHANG , 向泱 , XIANG, YANG , 鄧 覺為 , DUN, JOWEI , 薛 宏勇 , XUE, HONGYONG , 顧 一鳴 , GU, YIMING
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/2658 , H01L21/28035 , H01L29/4236
摘要： 本發明提出了一種位於半導體基底中含有有源晶胞區和端接區的半導體功率元件及其製備方法。半導體功率元件包含複數個柵極溝槽，其形成在有源晶胞區中半導體基底的頂部，其中每個柵極溝槽都用導電柵極材料部分填充；柵極溝槽的頂部用高密度等離子（HDP）氧化層填充。該半導體功率元件更包含位於柵極溝槽之間的半導體基底的檯面結構區，其中檯面結構區凹陷下去，頂部檯面結構表面垂直位於HDP氧化層的頂面以下，其中覆蓋在導電柵極材料上方的HDP氧化層構成一凸起邊界限定層，以包圍著柵極溝槽之間有源晶胞區中的凹陷檯面結構區。
简体摘要： 本发明提出了一种位于半导体基底中含有有源晶胞区和端接区的半导体功率组件及其制备方法。半导体功率组件包含复数个栅极沟槽，其形成在有源晶胞区中半导体基底的顶部，其中每个栅极沟槽都用导电栅极材料部分填充；栅极沟槽的顶部用高密度等离子（HDP）氧化层填充。该半导体功率组件更包含位于栅极沟槽之间的半导体基底的台面结构区，其中台面结构区凹陷下去，顶部台面结构表面垂直位于HDP氧化层的顶面以下，其中覆盖在导电栅极材料上方的HDP氧化层构成一凸起边界限定层，以包围着栅极沟槽之间有源晶胞区中的凹陷台面结构区。
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公开(公告)号：TW201622147A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104139119
申请日：2015-11-25
发明人： 李亦衡 , LEE, YEEHANG , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 薛 宏勇 , XUE, HONGYONG , 顧 一鳴 , GU, YIMING , 向泱 , XIANG, YANG , 黃 士彰 , HUANG, TERENCE , 謝卡爾 拉瑪莫西 , RAMAMOORTHY, SEKAR , 李文軍 , LI, WENJUN , 常 虹 , CHANG, HONG , 馬督兒 博德 , BOBDE, MADHUR , 保羅 托魯普 , THORUP, PAUL , 哈姆紥 依瑪茲 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/28008 , H01L27/088 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66484 , H01L29/66613 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要： 多個柵極溝槽形成在有源晶胞區中的半導體基板中。至少一其他溝槽形成在不同區域。每個柵極溝槽都具有在底部的第一導電材料，以及在頂部的第二導電材料。在柵極溝槽中，第一絕緣層將第一導電材料與基板隔開，第二絕緣層將第二導電材料與基板隔開，第三絕緣層將第一導電材料和第二導電材料隔開。至少一其他溝槽都含有一部分第一導電材料，呈半U型，在其他溝槽底部，以及第二導電材料在其他溝槽頂部。在其他溝槽中，第三絕緣層將第一導電材料和第二導電材料隔開。第一絕緣層的厚度大於第三絕緣層的厚度，第三絕緣層的厚度大於第二絕緣層的厚度。
简体摘要： 多个栅极沟槽形成在有源晶胞区中的半导体基板中。至少一其他沟槽形成在不同区域。每个栅极沟槽都具有在底部的第一导电材料，以及在顶部的第二导电材料。在栅极沟槽中，第一绝缘层将第一导电材料与基板隔开，第二绝缘层将第二导电材料与基板隔开，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。至少一其他沟槽都含有一部分第一导电材料，呈半U型，在其他沟槽底部，以及第二导电材料在其他沟槽顶部。在其他沟槽中，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。第一绝缘层的厚度大于第三绝缘层的厚度，第三绝缘层的厚度大于第二绝缘层的厚度。
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