半導體結構及其製造方法

发明专利

TWI628746B 半導體結構及其製造方法有权

简体标题：半导体结构及其制造方法

专利标题： 半導體結構及其製造方法
专利标题（英）： SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF
专利标题（中）： 半导体结构及其制造方法
申请号： TW105139980

申请日： 2016-12-02
公开(公告)号： TWI628746B

公开(公告)日： 2018-07-01
发明人: 李國弘 , LEE, KUO HUNG , 李智飛 , LEE, CHIH FEI , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
申请人地址： 新竹市
专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
当前专利权人地址： 新竹市
代理商 李世章; 秦建譜
优先权： 62/269,043 20151217;15/158,402 20160518
主分类号： H01L21/78
IPC分类号： H01L21/78 ; H01L23/522 ; H01L23/528 ; H01L23/544 ; H01L49/02

公开/授权文献

信息查询

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）