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公开(公告)号：TW202027263A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108138891
申请日：2019-10-28
发明人： 陳柏瀚 , CHEN, PO HAN , 陳貞君 , CHEN, CHEN CHUN , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 李國政 , LEE, KUO CHENG
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/8238 , H01L21/20 , H01L21/28
摘要： 一種影像感測器包含基板和在基板中的具有第一尺寸的第一光電二極體。影像感測器更包含在基板中具有第二尺寸的第二光電二極體，其中第一尺寸與第二尺寸不同。影像感測器更包含在基板上的第一緩衝層。影像感測器更包含在第一緩衝器上的遮罩層，其中第一緩衝層和遮罩層定義與第一光電二極體對準的第一凹陷和與第二光電二極體對準的第二凹陷。影像感測器更包含在第一凹陷中的閃爍減弱層，其中第二凹陷沒有閃爍減弱層。
简体摘要： 一种影像传感器包含基板和在基板中的具有第一尺寸的第一光电二极管。影像传感器更包含在基板中具有第二尺寸的第二光电二极管，其中第一尺寸与第二尺寸不同。影像传感器更包含在基板上的第一缓冲层。影像传感器更包含在第一缓冲器上的遮罩层，其中第一缓冲层和遮罩层定义与第一光电二极管对准的第一凹陷和与第二光电二极管对准的第二凹陷。影像传感器更包含在第一凹陷中的闪烁减弱层，其中第二凹陷没有闪烁减弱层。
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公开(公告)号：TWI628746B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105139980
申请日：2016-12-02
发明人： 李國弘 , LEE, KUO HUNG , 李智飛 , LEE, CHIH FEI , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG
IPC分类号： H01L21/78 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L49/02
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公开(公告)号：TWI599006B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW103127648
申请日：2014-08-12
发明人： 李智飛 , LEE, CHIHFEI , 張復誠 , CHANG, FUCHENG , 鄭志成 , JENG, CHICHERNG , 陳信吉 , CHEN, HSINCHI , 黃遠國 , HWANG, YUANKO
CPC分类号： H01L24/02 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/0236 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/0361 , H01L2224/0362 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2924/30101 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201735259A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105139980
申请日：2016-12-02
发明人： 李國弘 , LEE, KUO HUNG , 李智飛 , LEE, CHIH FEI , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG
IPC分类号： H01L21/78 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L49/02
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/78 , H01L23/5223 , H01L23/528 , H01L28/40 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446
摘要： 本揭露提供一種製造半導體結構的方法，包含：形成對準記號層於基板上；圖案化對準記號層來形成至少一對準記號特徵；以實質上共形的方式形成下導電層於圖案化的對準記號層上；形成絕緣層於下導電層上；以及形成上導電層於絕緣層上。
简体摘要： 本揭露提供一种制造半导体结构的方法，包含：形成对准记号层于基板上；图案化对准记号层来形成至少一对准记号特征；以实质上共形的方式形成下导电层于图案化的对准记号层上；形成绝缘层于下导电层上；以及形成上导电层于绝缘层上。
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公开(公告)号：TW201824548A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106127977
申请日：2017-08-17
发明人： 魏嘉余 , WEI, CHIA YU , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG , 鄭枷彬 , CHENG, CHIA PIN , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 黃薰瑩 , HUANG, HSUN YING , 林彥良 , LIN, YEN LIANG
IPC分类号： H01L29/41
摘要： 一種閘極結構包含閘極以及具有頂表面和底表面之第一隔離結構。閘極包含鄰近第一隔離結構的第一側壁、第二側壁、鄰近第一側壁之底部邊緣和第二側壁之底部邊緣的第一水平面。第一水平面位於第一隔離結構之頂表面與第一隔離結構之底表面之間。閘極亦包含鄰近第二側壁之頂部邊緣的第二水平面。由閘極結構界定出的有效通道寬度包含第二側壁之高度和第二水平面之寬度。
简体摘要： 一种闸极结构包含闸极以及具有顶表面和底表面之第一隔离结构。闸极包含邻近第一隔离结构的第一侧壁、第二侧壁、邻近第一侧壁之底部边缘和第二侧壁之底部边缘的第一水平面。第一水平面位于第一隔离结构之顶表面与第一隔离结构之底表面之间。闸极亦包含邻近第二侧壁之顶部边缘的第二水平面。由闸极结构界定出的有效信道宽度包含第二侧壁之高度和第二水平面之宽度。
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公开(公告)号：TW201532218A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103127648
申请日：2014-08-12
发明人： 李智飛 , LEE, CHIHFEI , 張復誠 , CHANG, FUCHENG , 鄭志成 , JENG, CHICHERNG , 陳信吉 , CHEN, HSINCHI , 黃遠國 , HWANG, YUANKO
CPC分类号： H01L24/02 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/0236 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/0361 , H01L2224/0362 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2924/30101 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014
摘要： 本揭露提供了一個凸塊底層金屬化層的結構及其製造方法。凸塊底層金屬化層結構具有，從頂部看，圓形或多邊形的重佈通孔，且多邊形相鄰邊之間的角度為大於90°。因此，可以提高後續形成的金屬層的階梯覆蓋率。
简体摘要： 本揭露提供了一个凸块底层金属化层的结构及其制造方法。凸块底层金属化层结构具有，从顶部看，圆形或多边形的重布通孔，且多边形相邻边之间的角度为大于90°。因此，可以提高后续形成的金属层的阶梯覆盖率。
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